半导体器件、图像传感器及其形成方法

被引：0

申请号：

CN202210178632.1

申请日：

2022-02-25

公开(公告)号：

CN114649359A

公开(公告)日：

2022-06-21

发明(设计)人：

高敏峰杨敦年刘人诚郭文昌陈昇照洪丰基李昇展

申请人：

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27146

IPC分类号：

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-08	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/146 申请日:20220225
2022-06-21	公开	公开

共 50 条

[1]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645420A ,2010-02-10

[2]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645421A ,2010-02-10

[3]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645419A ,2010-02-10

[4]

图像传感器、半导体器件以及其形成方法 [P].

曾志裕 ;

陈明贤 .

中国专利 :CN113113432B ,2025-04-25

[5]

图像传感器、半导体器件以及其形成方法 [P].

曾志裕 ;

陈明贤 .

中国专利 :CN113113432A ,2021-07-13

[6]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

杨帆 ;

胡胜 ;

赵宇航 ;

谢岩 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349738A ,2021-02-09

[7]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

吴聪 ;

谢岩 ;

刘选军 ;

杨帆 ;

李侃 ;

赵宇航 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349737A ,2021-02-09

[8]

图像传感器、半导体器件及其形成方法 [P].

郑允玮 ;

贾钧伟 ;

周俊豪 ;

李国政 .

中国专利 :CN117457695A ,2024-01-26

[9]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

吴聪 ;

谢岩 ;

刘选军 ;

杨帆 ;

李侃 ;

赵宇航 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349737B ,2024-03-22

[10]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

胡胜 ;

杨帆 ;

赵宇航 ;

吴聪 ;

李侃 .

中国专利 :CN112349739A ,2021-02-09

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