图像传感器、半导体器件以及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010930430.9

申请日：

2020-09-07

公开(公告)号：

CN113113432B

公开(公告)日：

2025-04-25

发明(设计)人：

曾志裕陈明贤

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹科学工业园区新竹市力行六路八号

IPC主分类号：

H10F39/12

IPC分类号：

H10F39/18

代理机构：

南京正联知识产权代理有限公司 32243

代理人：

王素琴

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-25	授权	授权
2025-06-10	专利权期限的补偿	专利权期限补偿IPC(主分类):H10F 39/12申请日:20200907授权公告日:20250425原专利权期满终止日:20400907现专利权期满终止日:20410425

共 50 条

[1]

图像传感器、半导体器件以及其形成方法 [P].

曾志裕 ;

陈明贤 .

中国专利 :CN113113432A ,2021-07-13

[2]

半导体器件、图像传感器及其形成方法 [P].

高敏峰 ;

杨敦年 ;

刘人诚 ;

郭文昌 ;

陈昇照 ;

洪丰基 ;

李昇展 .

中国专利 :CN114649359A ,2022-06-21

[3]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645420A ,2010-02-10

[4]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645421A ,2010-02-10

[5]

CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P].

罗飞 ;

朱虹 .

中国专利 :CN101645419A ,2010-02-10

[6]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

杨帆 ;

胡胜 ;

赵宇航 ;

谢岩 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349738A ,2021-02-09

[7]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

吴聪 ;

谢岩 ;

刘选军 ;

杨帆 ;

李侃 ;

赵宇航 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349737A ,2021-02-09

[8]

图像传感器、半导体器件及其形成方法 [P].

郑允玮 ;

贾钧伟 ;

周俊豪 ;

李国政 .

中国专利 :CN117457695A ,2024-01-26

[9]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

吴聪 ;

谢岩 ;

刘选军 ;

杨帆 ;

李侃 ;

赵宇航 ;

褚海波 .

中国专利 :CN112349737B ,2024-03-22

[10]

半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P].

胡胜 ;

杨帆 ;

赵宇航 ;

吴聪 ;

李侃 .

中国专利 :CN112349739A ,2021-02-09

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