半导体器件及其形成方法、图像传感器

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202011164482.6
申请日
2020-10-27
公开(公告)号
CN112349737A
公开(公告)日
2021-02-09
发明(设计)人
吴聪 谢岩 刘选军 杨帆 李侃 赵宇航 褚海波
申请人
申请人地址
430205 湖北省武汉市东湖开发区高新四路18号
IPC主分类号
H01L27146
IPC分类号
代理机构
上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237
代理人
曹廷廷
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P]. 
吴聪 ;
谢岩 ;
刘选军 ;
杨帆 ;
李侃 ;
赵宇航 ;
褚海波 .
中国专利 :CN112349737B ,2024-03-22
[2]
半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P]. 
杨帆 ;
胡胜 ;
赵宇航 ;
谢岩 ;
褚海波 .
中国专利 :CN112349738A ,2021-02-09
[3]
半导体器件及其形成方法、图像传感器 [P]. 
胡胜 ;
杨帆 ;
赵宇航 ;
吴聪 ;
李侃 .
中国专利 :CN112349739A ,2021-02-09
[4]
图像传感器、半导体器件及其形成方法 [P]. 
郑允玮 ;
贾钧伟 ;
周俊豪 ;
李国政 .
中国专利 :CN117457695A ,2024-01-26
[5]
半导体器件、图像传感器及其形成方法 [P]. 
高敏峰 ;
杨敦年 ;
刘人诚 ;
郭文昌 ;
陈昇照 ;
洪丰基 ;
李昇展 .
中国专利 :CN114649359A ,2022-06-21
[6]
图像传感器、半导体器件及其形成方法 [P]. 
郑允玮 ;
贾钧伟 ;
周俊豪 ;
李国政 .
中国专利 :CN111261646A ,2020-06-09
[7]
CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P]. 
罗飞 ;
朱虹 .
中国专利 :CN101645420A ,2010-02-10
[8]
CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P]. 
罗飞 ;
朱虹 .
中国专利 :CN101645421A ,2010-02-10
[9]
CMOS图像传感器及其形成方法、半导体器件形成方法 [P]. 
罗飞 ;
朱虹 .
中国专利 :CN101645419A ,2010-02-10
[10]
图像传感器、半导体器件以及其形成方法 [P]. 
曾志裕 ;
陈明贤 .
中国专利 :CN113113432B ,2025-04-25