一种改进的基于铁电场效应晶体管的电子突触电路及神经网络

被引：0

申请号：

CN202210340931.0

申请日：

2022-03-28

公开(公告)号：

CN115115041A

公开(公告)日：

2022-09-27

发明(设计)人：

张立宁刘保良陈旭辉彭宝康黄如

申请人：

申请人地址：

518055 广东省深圳市南山区西丽深圳大学城北大校区A423

IPC主分类号：

G06N3063

IPC分类号：

G06N304 G06N308

代理机构：

北京祯新珵艺知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 16110

代理人：

沈超

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-27	公开	公开

共 50 条

[1]

一种基于铁电场效应晶体管的电子突触电路及神经网络电路 [P].

张立宁 ;

刘保良 ;

陈旭辉 ;

彭宝康 ;

黄如 .

中国专利 :CN115271052B ,2025-06-20

[2]

一种改进的基于铁电晶体管的电子突触电路及神经网络电路 [P].

张立宁 ;

刘保良 ;

陈旭辉 ;

彭宝康 ;

黄如 .

中国专利 :CN115115041B ,2025-05-02

[3]

垂直铁电场效应晶体管的制备方法及垂直铁电场效应晶体管 [P].

田博博 ;

冯光迪 ;

朱秋香 ;

褚君浩 ;

段纯刚 .

中国专利 :CN114999919A ,2022-09-02

[4]

铁电场效应晶体管、存储器件和神经网络器件 [P].

柳时正 ;

金东勋 ;

金尚昱 ;

南胜杰 ;

杨智恩 ;

崔德铉 .

韩国专利 :CN120379305A ,2025-07-25

[5]

神经形态器件中具有多个铁电场效应晶体管的突触阵列 [P].

李炯东 .

中国专利 :CN108987409A ,2018-12-11

[6]

铁电场效应晶体管、存储器器件和神经网络器件 [P].

柳时正 ;

南胜杰 ;

金东勋 ;

李泫宰 ;

崔德铉 ;

崔硕训 .

韩国专利 :CN119855191A ,2025-04-18

[7]

具有混合阱的铁电场效应晶体管 [P].

S·邓克尔 ;

D·M·克莱迈尔 ;

赵智兴 ;

H·穆拉奥斯曼诺维奇 .

德国专利 :CN117855271A ,2024-04-09

[8]

一种基于黑磷铁电场效应晶体管的逻辑门电路 [P].

王林 ;

胡震 ;

范汇川 ;

潘晓凯 ;

陈效双 .

中国专利 :CN119675654A ,2025-03-21

[9]

一种基于铁电场效应晶体管的差分放大电路 [P].

唐明华 ;

李凯 ;

秦亚 ;

燕少安 .

中国专利 :CN104579208A ,2015-04-29

[10]

一种基于铁电隧穿结的电子突触电路及神经网络电路 [P].

张立宁 ;

冯宁 ;

刘保良 ;

黄如 .

中国专利 :CN115146770B ,2025-04-18

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