铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201310116862.6

申请日：

2013-04-03

公开(公告)号：

CN103196850A

公开(公告)日：

2013-07-10

发明(设计)人：

刘运传王雪蓉孟祥艳周燕萍郑会保魏莉萍

申请人：

申请人地址：

250031 山东省济南市天桥区田家庄东路3号

IPC主分类号：

G01N2131

IPC分类号：

代理机构：

济南舜源专利事务所有限公司 37205

代理人：

苗峻

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-08-07	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101503525834 IPC(主分类):G01N 21/31 专利申请号:2013101168626 申请日:20130403
2015-09-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101720458169 IPC(主分类):G01N 21/31 专利申请号:2013101168626 申请公布日:20130710
2013-07-10	公开	公开

共 50 条

[1]

一种铝镓氮晶片外延层中铝元素含量的测试方法 [P].

刘运传 ;

王雪蓉 ;

魏莉萍 ;

郑会保 ;

孟祥艳 ;

周燕萍 ;

李峙澂 .

中国专利 :CN102539357A ,2012-07-04

[2]

一种从含有镓、铟元素的废渣中回收镓、铟元素的方法 [P].

孙峙 ;

方升 ;

曹宏斌 ;

林晓 .

中国专利 :CN109897960A ,2019-06-18

[3]

岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED芯片 [P].

付羿 ;

周名兵 ;

郭啸 ;

程志清 .

中国专利 :CN119133330B ,2025-04-15

[4]

岛状铟镓氮外延结构及其制备方法、Micro LED芯片 [P].

付羿 ;

周名兵 ;

郭啸 ;

程志清 .

中国专利 :CN119133330A ,2024-12-13

[5]

铟镓氮基光电极的表面处理方法 [P].

邹志刚 ;

罗文俊 ;

李朝升 ;

李明雪 ;

刘斌 ;

陈敦军 ;

于涛 ;

谢自力 ;

张荣 .

中国专利 :CN102304738B ,2012-01-04

[6]

采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 [P].

马平 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101924022A ,2010-12-22

[7]

一种锌、铜精矿中铟元素的含量检测方法 [P].

颜忠国 ;

杨绍辉 ;

李文有 ;

张粉 ;

周国彪 ;

何兴贵 .

中国专利 :CN119125113A ,2024-12-13

[8]

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN103710757A ,2014-04-09

[9]

一种铟镓氮薄膜的生长方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

刘宗顺 ;

朱建军 .

中国专利 :CN110335804A ,2019-10-15

[10]

铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 [P].

韩培德 ;

刘祥林 ;

王晓晖 ;

陆大成 .

中国专利 :CN1361554A ,2002-07-31

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