铟镓氮基光电极的表面处理方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110206604.8

申请日：

2011-07-22

公开(公告)号：

CN102304738B

公开(公告)日：

2012-01-04

发明(设计)人：

邹志刚罗文俊李朝升李明雪刘斌陈敦军于涛谢自力张荣

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C25D1102

IPC分类号：

C25B1104

代理机构：

南京天翼专利代理有限责任公司 32112

代理人：

周静

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2012-02-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101190909941 IPC(主分类):C25D 11/02 专利申请号:2011102066048 申请日:20110722
2013-07-31	授权	授权
2012-01-04	公开	公开
2018-08-07	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):C25D 11/02 申请日:20110722 授权公告日:20130731 终止日期:20170722

共 50 条

[1]

氧化铁光电极的表面钝化方法 [P].

邹志刚 ;

张明龙 ;

罗文俊 ;

李朝升 ;

张宁斯 ;

于涛 .

中国专利 :CN102800481A ,2012-11-28

[2]

铟镓氮晶片外延层中铟元素含量的测试方法 [P].

刘运传 ;

王雪蓉 ;

孟祥艳 ;

周燕萍 ;

郑会保 ;

魏莉萍 .

中国专利 :CN103196850A ,2013-07-10

[3]

采用InxGa1-xN缓冲层生长的氮化镓和铟镓氮的方法 [P].

马平 ;

王军喜 ;

王国宏 ;

曾一平 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN101924022A ,2010-12-22

[4]

一种可见光铟镓氮基光电化学电池及制备方法 [P].

刘斌 ;

罗文俊 ;

谢自力 ;

李朝升 ;

陈敦军 ;

邹志刚 ;

张荣 .

中国专利 :CN101364482A ,2009-02-11

[5]

一种铟镓氮薄膜的生长方法 [P].

梁锋 ;

赵德刚 ;

刘宗顺 ;

朱建军 .

中国专利 :CN110335804A ,2019-10-15

[6]

铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法 [P].

韩培德 ;

刘祥林 ;

王晓晖 ;

陆大成 .

中国专利 :CN1361554A ,2002-07-31

[7]

一种改善铟镓氮外延材料表面质量的生长方法 [P].

李亮 ;

罗伟科 .

中国专利 :CN103710757A ,2014-04-09

[8]

一种氮化镓单晶基片的氮极性表面的表面处理方法 [P].

徐耿钊 ;

李忠念 ;

陈晖 ;

刘争晖 ;

张春玉 ;

陈科蓓 ;

宋文涛 ;

徐科 .

中国专利 :CN112626622B ,2021-04-09

[9]

一种氮化镓基纳米孔结构光电极制备方法 [P].

李泽平 ;

王耿 ;

李东京 ;

梅丽红 .

中国专利 :CN118600562A ,2024-09-06

[10]

一种纳米锥结构氮化镓基光电极制备方法 [P].

李泽平 ;

王耿 ;

李东京 ;

梅丽红 .

中国专利 :CN118598069A ,2024-09-06

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