保护膜形成用膜

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380063150.0

申请日：

2013-11-29

公开(公告)号：

CN104838491B

公开(公告)日：

2015-08-12

发明(设计)人：

高野健篠田智则吾妻佑一郎

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L2329

IPC分类号：

B32B2730 C08J518 C08L6300 H01L2300 H01L2331

代理机构：

北京市柳沈律师事务所 11105

代理人：

王利波

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-09-09	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101624660698 IPC(主分类):H01L 23/29 专利申请号:2013800631500 申请日:20131129
2015-08-12	公开	公开
2018-02-13	授权	授权

共 50 条

[1]

保护膜形成用膜 [P].

高野健 ;

篠田智则 ;

吾妻佑一郎 .

中国专利 :CN104838490A ,2015-08-12

[2]

保护膜形成用膜 [P].

山本大辅 ;

高野健 .

中国专利 :CN105009277A ,2015-10-28

[3]

保护膜形成用组合物、保护膜形成用片、以及带有固化保护膜的芯片 [P].

山本大辅 ;

吾妻佑一郎 .

中国专利 :CN104838489A ,2015-08-12

[4]

保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 [P].

佐伯尚哉 ;

山本大辅 ;

高野健 .

中国专利 :CN104937712B ,2015-09-23

[5]

保护膜形成用膜 [P].

稻男洋一 ;

佐伯尚哉 .

中国专利 :CN107428963B ,2017-12-01

[6]

保护膜形成用膜 [P].

山下茂之 ;

山本大辅 ;

中石康喜 .

中国专利 :CN115132671A ,2022-09-30

[7]

保护膜形成用膜、保护膜形成用片及半导体晶片 [P].

刘晏全 ;

陈灯桂 ;

郑亦杰 ;

王品胜 ;

林岳霆 ;

刘育铨 ;

林育琪 .

中国专利 :CN120648400A ,2025-09-16

[8]

保护膜形成用膜以及保护膜形成用复合片 [P].

稻男洋一 ;

小桥力也 .

中国专利 :CN108701640B ,2018-10-23

[9]

保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 [P].

稻男洋一 ;

小桥力也 ;

古野健太 .

中国专利 :CN108350108A ,2018-07-31

[10]

保护膜形成用膜及保护膜形成用复合片 [P].

山本大辅 ;

稻男洋一 .

中国专利 :CN108884244B ,2018-11-23

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