半导体结构及其制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510996499.0

申请日：

2015-12-25

公开(公告)号：

CN105489581A

公开(公告)日：

2016-04-13

发明(设计)人：

梁肖曹子贵邓咏桢

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L23488

IPC分类号：

H01L2160

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101659560373 IPC(主分类):H01L 23/488 专利申请号:2015109964990 申请日:20151225
2016-04-13	公开	公开
2018-06-29	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其制作方法 [P].

施宏霖 ;

刘珀玮 ;

杨宗谕 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113130479A ,2021-07-16

[2]

半导体结构及其制作方法 [P].

施宏霖 ;

刘珀玮 ;

杨宗谕 ;

吴云骥 .

中国专利 :CN113130479B ,2025-12-05

[3]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈涛 ;

许宗能 .

中国专利 :CN114743952A ,2022-07-12

[4]

半导体结构的制作方法 [P].

王雪平 .

中国专利 :CN119072117B ,2025-09-26

[5]

半导体结构的制作方法 [P].

王雪平 .

中国专利 :CN119072117A ,2024-12-03

[6]

半导体结构及其制作方法、半导体器件及其制作方法 [P].

肖文静 ;

梅立波 ;

王欢 ;

肖亮 ;

潘震 ;

刘雅琴 .

中国专利 :CN121035061A ,2025-11-28

[7]

半导体结构及其制作方法 [P].

锺光翔 .

中国专利 :CN115642139A ,2023-01-24

[8]

半导体结构及其制作方法 [P].

毛剑宏 ;

韩凤芹 ;

唐德明 .

中国专利 :CN102923636A ,2013-02-13

[9]

半导体结构及其制作方法 [P].

杨智超 ;

许履尘 ;

拉齐夫·V·约什 .

中国专利 :CN101483172A ,2009-07-15

[10]

半导体结构及其制作方法 [P].

陈逸男 ;

刘献文 ;

蔡子敬 .

中国专利 :CN101577243B ,2009-11-11

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