一种采用金属辅助湿法刻蚀制备硅基微针的制备方法及其应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011238936.X

申请日：

2020-11-09

公开(公告)号：

CN112221010B

公开(公告)日：

2021-01-15

发明(设计)人：

周成刚马圆圆魏钰陈琳

申请人：

申请人地址：

230026 安徽省合肥市包河区金寨路96号

IPC主分类号：

A61M3700

IPC分类号：

C23F124 C23F102 C23C1842

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

豆贝贝

法律状态：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-08-09	授权	授权
2021-01-15	公开	公开
2021-02-02	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):A61M 37/00 申请日:20201109

共 50 条

[1]

一种湿法刻蚀制备硅基OLED阳极的方法 [P].

杨震元 ;

孙扬 ;

吴康敬 .

中国专利 :CN112289965A ,2021-01-29

[2]

一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法 [P].

龙桂鲁 ;

胡蕴琪 ;

杨宏 ;

王敏 ;

王涛 ;

毛璇 ;

谢冉冉 ;

梁敬淯 ;

秦国卿 .

中国专利 :CN113526458B ,2024-04-09

[3]

一种湿法刻硅制备微芯环腔的方法 [P].

龙桂鲁 ;

胡蕴琪 ;

杨宏 ;

王敏 ;

王涛 ;

毛璇 ;

谢冉冉 ;

梁敬淯 ;

秦国卿 .

中国专利 :CN113526458A ,2021-10-22

[4]

一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法 [P].

王耀斌 .

中国专利 :CN107978524A ,2018-05-01

[5]

一种利用湿法刻蚀制备黑硅的方法 [P].

宫俊峰 .

中国专利 :CN104638062A ,2015-05-20

[6]

一种基于金属辅助化学刻蚀技术制备硅纳米线阵列的方法 [P].

杨宇 ;

周志文 ;

王荣飞 ;

杨杰 ;

王茺 .

中国专利 :CN107634005A ,2018-01-26

[7]

一种金属离子辅助刻蚀多孔硅的制备方法 [P].

麦毅 ;

侯高蕾 ;

吴复忠 ;

戴新义 ;

李水娥 ;

谷肄静 ;

陈敬波 .

中国专利 :CN110528005A ,2019-12-03

[8]

一种银辅助湿法刻蚀黑硅的制备方法 [P].

明安杰 ;

张少勋 ;

赵永敏 ;

韩雨庐 ;

连紫薇 .

中国专利 :CN114873554A ,2022-08-09

[9]

基于机械刻划与金属催化刻蚀的硅微/纳结构制备方法 [P].

蒋淑兰 ;

王丰 ;

钱林茂 ;

武韩强 ;

余丙军 .

中国专利 :CN107265398A ,2017-10-20

[10]

一种湿法化学刻蚀制备黑硅的方法 [P].

蒲天 ;

罗旌旺 ;

吴兢 ;

芮春保 ;

汪洋 .

中国专利 :CN105551953A ,2016-05-04

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