碳化硅外延晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201480082708.4

申请日：

2014-10-14

公开(公告)号：

CN107078032A

公开(公告)日：

2017-08-18

发明(设计)人：

滨野健一服部亮中村卓誉

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2936 G01B1106 H01L2120 H01L2166 C23C1642

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-09-12	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101747183435 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2014800827084 申请日:20141014
2017-08-18	公开	公开
2021-04-09	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 21/205 申请公布日:20170818

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置 [P].

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN111799321A ,2020-10-20

[2]

碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置 [P].

大野彰仁 ;

滨野健一 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN107316805A ,2017-11-03

[3]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN106605302B ,2017-04-26

[4]

碳化硅外延晶片 [P].

堀勉 ;

宫濑贵也 ;

本家翼 ;

山本裕史 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN111051581A ,2020-04-21

[5]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[7]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN105658847B ,2016-06-08

[8]

碳化硅衬底、外延晶片和碳化硅衬底的制造方法 [P].

佐佐木信 ;

原田真 .

中国专利 :CN101783284A ,2010-07-21

[9]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[10]

碳化硅外延晶片的制造方法及制造装置 [P].

大野彰仁 ;

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

山本高裕 ;

木村泰广 ;

沟部卓真 ;

富田信之 .

中国专利 :CN106435722A ,2017-02-22

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