碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710287689.4

申请日：

2017-04-27

公开(公告)号：

CN107316805A

公开(公告)日：

2017-11-03

发明(设计)人：

大野彰仁滨野健一金泽孝

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L2167

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

何立波;张天舒

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-11-03	公开	公开
2022-09-09	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/205 申请公布日:20171103
2017-11-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20170427

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片的制造方法及制造装置 [P].

大野彰仁 ;

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

山本高裕 ;

木村泰广 ;

沟部卓真 ;

富田信之 .

中国专利 :CN106435722A ,2017-02-22

[2]

碳化硅外延晶片的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大野彰仁 .

中国专利 :CN110476223A ,2019-11-19

[3]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[4]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

滨野健一 ;

服部亮 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN107078032A ,2017-08-18

[5]

碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置 [P].

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN111799321A ,2020-10-20

[6]

碳化硅外延基板的制造方法、碳化硅外延基板、碳化硅半导体装置的制造方法和碳化硅半导体装置 [P].

和田圭司 ;

西口太郎 ;

日吉透 .

中国专利 :CN107430995B ,2017-12-01

[7]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[8]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[9]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN105658847B ,2016-06-08

[10]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN106463364A ,2017-02-22

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