外延碳化硅晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580002205.6

申请日：

2015-02-27

公开(公告)号：

CN105658847B

公开(公告)日：

2016-06-08

发明(设计)人：

蓝乡崇伊藤涉藤本辰雄

申请人：

申请人地址：

日本东京

IPC主分类号：

C30B2936

IPC分类号：

C30B2502

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

陈建全

法律状态：

专利申请权、专利权的转移

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-17	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):C30B 29/36 登记生效日:20180627 变更事项:申请人变更前权利人:新日铁住金株式会社变更后权利人:昭和电工株式会社变更事项:地址变更前权利人:日本东京变更后权利人:日本东京
2016-06-08	公开	公开
2018-08-10	授权	授权
2016-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101669294756 IPC(主分类):C30B 29/36 专利申请号:2015800022056 申请日:20150227

共 50 条

[1]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN106463364A ,2017-02-22

[2]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119744435A ,2025-04-01

[3]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

滨野健一 ;

服部亮 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN107078032A ,2017-08-18

[4]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[5]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置 [P].

大野彰仁 ;

滨野健一 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN107316805A ,2017-11-03

[7]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[8]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

升本恵子 .

中国专利 :CN106233430A ,2016-12-14

[9]

碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置 [P].

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN111799321A ,2020-10-20

[10]

外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板的制造方法以及外延碳化硅晶片用碳化硅单晶基板 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN104981892A ,2015-10-14

← 1 2 3 4 5 →