碳化硅外延晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201580020267.X

申请日：

2015-04-16

公开(公告)号：

CN106233430A

公开(公告)日：

2016-12-14

发明(设计)人：

升本恵子

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C30B2936 H01L2120

代理机构：

北京信慧永光知识产权代理有限责任公司 11290

代理人：

王玉玲;李雪春

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-01-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101696035918 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:201580020267X 申请日:20150416
2016-12-14	公开	公开
2019-08-06	授权	授权

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119744435A ,2025-04-01

[2]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN104395986A ,2015-03-04

[3]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 ;

金知慧 ;

金翼灿 .

中国专利 :CN104428872A ,2015-03-18

[4]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN106605302B ,2017-04-26

[5]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[7]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[8]

碳化硅外延晶片的制造方法、碳化硅半导体装置的制造方法及碳化硅外延晶片的制造装置 [P].

大野彰仁 ;

滨野健一 ;

金泽孝 .

中国专利 :CN107316805A ,2017-11-03

[9]

碳化硅外延晶片的制造方法及碳化硅半导体装置的制造方法 [P].

大野彰仁 .

中国专利 :CN110476223A ,2019-11-19

[10]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

滨野健一 ;

服部亮 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN107078032A ,2017-08-18

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