碳化硅外延晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201380035035.2

申请日：

2013-05-30

公开(公告)号：

CN104395986A

公开(公告)日：

2015-03-04

发明(设计)人：

姜石民

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;穆德骏

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-06-24	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101615367819 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013800350352 申请日:20130530
2017-06-30	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101754608358 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2013800350352 申请公布日:20150304
2015-03-04	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 ;

金知慧 ;

金翼灿 .

中国专利 :CN104428872A ,2015-03-18

[2]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN106605302B ,2017-04-26

[3]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

清泽努 .

日本专利 :CN119744435A ,2025-04-01

[4]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

升本恵子 .

中国专利 :CN106233430A ,2016-12-14

[5]

碳化硅外延晶片及其制备方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN104412362B ,2018-04-10

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

滨野健一 ;

服部亮 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN107078032A ,2017-08-18

[7]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[8]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[9]

碳化硅外延晶片 [P].

堀勉 ;

宫濑贵也 ;

本家翼 ;

山本裕史 ;

冲田恭子 .

中国专利 :CN111051581A ,2020-04-21

[10]

碳化硅外延晶片、碳化硅外延晶片的制造方法、电力变换装置 [P].

酒井雅 ;

三谷阳一郎 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN111799321A ,2020-10-20

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