碳化硅外延晶片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202480003731.3

申请日：

2024-02-20

公开(公告)号：

CN119744435A

公开(公告)日：

2025-04-01

发明(设计)人：

清泽努

申请人：

株式会社东芝东芝电子元件及存储装置株式会社

申请人地址：

日本

IPC主分类号：

H01L21/205

IPC分类号：

C30B25/20 C30B29/36

代理机构：

永新专利商标代理有限公司 72002

代理人：

周欣

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/205申请日:20240220
2025-04-01	公开	公开

共 50 条

[1]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

升本恵子 .

中国专利 :CN106233430A ,2016-12-14

[2]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN104395986A ,2015-03-04

[3]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 ;

金知慧 ;

金翼灿 .

中国专利 :CN104428872A ,2015-03-18

[4]

碳化硅外延晶片及其制造方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN106605302B ,2017-04-26

[5]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

日本专利 :CN113964016B ,2024-12-20

[6]

碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

沟部卓真 ;

中村卓誉 .

中国专利 :CN113964016A ,2022-01-21

[7]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN106463364A ,2017-02-22

[8]

外延碳化硅晶片的制造方法 [P].

蓝乡崇 ;

伊藤涉 ;

藤本辰雄 .

中国专利 :CN105658847B ,2016-06-08

[9]

碳化硅外延生长装置及碳化硅外延晶片的制造方法 [P].

酒井雅 ;

香月真一郎 ;

小林和雄 ;

日野泰成 .

中国专利 :CN112210827A ,2021-01-12

[10]

碳化硅外延晶片及其制备方法 [P].

姜石民 .

中国专利 :CN104412362B ,2018-04-10

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