一种可拉伸晶体半导体纳米线及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201810614845.8

申请日：

2018-06-14

公开(公告)号：

CN109234807B

公开(公告)日：

2019-01-18

发明(设计)人：

余林蔚薛兆国董泰阁王军转

申请人：

申请人地址：

210093 江苏省南京市鼓楼区汉口路22号

IPC主分类号：

C30B2518

IPC分类号：

C30B2906 C30B2908 C30B2940 C30B2960

代理机构：

北京润川律师事务所 11643

代理人：

张超;李奎锋

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-01-18	公开	公开
2020-09-01	授权	授权
2019-02-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 25/18 申请日:20180614

共 50 条

[1]

一种基于平面纳米线线形设计和引导的可拉伸晶体半导体纳米线的制备方法 [P].

余林蔚 ;

薛兆国 ;

董泰阁 ;

王军转 .

中国专利 :CN107460542A ,2017-12-12

[2]

半导体纳米线晶体管 [P].

L·－E·沃纳森 ;

T·布里勒特 ;

E·林德 ;

L·萨姆尔森 .

中国专利 :CN101273459A ,2008-09-24

[3]

超长半导体纳米线结构及其制备方法 [P].

吴东平 ;

张世理 ;

朱志炜 ;

张卫 .

中国专利 :CN102169889A ,2011-08-31

[4]

可拉伸半导体元件、可拉伸电路及其制造方法 [P].

R·G·纳佐 ;

J·A·罗杰斯 ;

E·梅纳德 ;

李建宰 ;

姜达荣 ;

孙玉刚 ;

M·梅尔特 ;

朱正涛 .

中国专利 :CN103633099B ,2014-03-12

[5]

一种半导体纳米线制备装置 [P].

鲁逸人 ;

陈鹏 ;

童银栋 ;

靳凤民 ;

郑学荣 ;

刘宪华 ;

刘翔 ;

张立红 ;

李莉 .

中国专利 :CN205803593U ,2016-12-14

[6]

制造半导体纳米线及纳米线半导体装置的方法 [P].

洪瑛 .

中国专利 :CN111902943B ,2024-07-09

[7]

一种半导体器件纳米线及其制备方法 [P].

王桂磊 ;

亨利·H·阿达姆松 ;

孔真真 ;

李俊杰 ;

李俊峰 ;

殷华湘 ;

王文武 .

中国专利 :CN110896027A ,2020-03-20

[8]

半导体纳米线有序阵列分布的制备方法 [P].

邱凯 ;

周天微 ;

左玉华 .

中国专利 :CN104051576A ,2014-09-17

[9]

一种Ⅲ-Ⅴ族半导体纳米线的制备方法 [P].

李侃 ;

邢英杰 ;

徐洪起 .

中国专利 :CN105679655A ,2016-06-15

[10]

一种半导体纳米线结构的制备方法 [P].

袁献武 .

中国专利 :CN106601611A ,2017-04-26

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