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半导体器件
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN201811420438.X
申请日
:
2018-11-26
公开(公告)号
:
CN109935257A
公开(公告)日
:
2019-06-25
发明(设计)人
:
高桥弘行
吉田昌弘
申请人
:
申请人地址
:
日本东京都
IPC主分类号
:
G11C11407
IPC分类号
:
代理机构
:
北京市金杜律师事务所 11256
代理人
:
李辉
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2020-11-10
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/407 申请日:20181126
2019-06-25
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体器件
[P].
高桥弘行
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
高桥弘行
;
吉田昌弘
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
吉田昌弘
.
日本专利
:CN109935257B
,2024-07-12
[2]
半导体器件
[P].
竹村理一朗
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0
竹村理一朗
;
伊藤清男
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伊藤清男
;
关口知纪
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关口知纪
;
阪田健
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阪田健
;
木村胜高
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木村胜高
.
中国专利
:CN1197089C
,2002-03-20
[3]
半导体器件
[P].
竹村理一朗
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竹村理一朗
;
伊藤清男
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伊藤清男
;
关口知纪
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关口知纪
;
阪田健
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阪田健
;
木村胜高
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木村胜高
.
中国专利
:CN1652252A
,2005-08-10
[4]
半导体器件
[P].
森保孝宪
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森保孝宪
;
吉原和雄
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吉原和雄
;
神田明彦
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神田明彦
;
浅井良彦
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浅井良彦
;
小川大也
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小川大也
.
中国专利
:CN111105831A
,2020-05-05
[5]
半导体器件
[P].
横山佳巧
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
横山佳巧
;
田中信二
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
田中信二
.
日本专利
:CN110875079B
,2024-08-09
[6]
半导体器件
[P].
泽田阳平
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泽田阳平
;
薮内诚
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薮内诚
;
石井雄一郎
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石井雄一郎
.
中国专利
:CN107077885A
,2017-08-18
[7]
半导体器件
[P].
千田稔
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千田稔
;
濑户川润
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濑户川润
.
中国专利
:CN101149973B
,2008-03-26
[8]
半导体器件
[P].
森保孝宪
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
森保孝宪
;
吉原和雄
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
吉原和雄
;
神田明彦
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
神田明彦
;
浅井良彦
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
浅井良彦
;
小川大也
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
小川大也
.
日本专利
:CN111105831B
,2024-11-26
[9]
半导体器件
[P].
福士哲夫
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福士哲夫
;
高桥弘行
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高桥弘行
;
松重宗明
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松重宗明
.
中国专利
:CN114495999A
,2022-05-13
[10]
半导体器件
[P].
田中信二
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
田中信二
;
北形大树
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机构:
瑞萨电子株式会社
瑞萨电子株式会社
北形大树
.
日本专利
:CN117953943A
,2024-04-30
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