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半导体器件

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201910823753.5
申请日：
2019-09-02
公开(公告)号：
CN111105831B
公开(公告)日：
2024-11-26
发明(设计)人：
森保孝宪 吉原和雄 神田明彦 浅井良彦 小川大也
申请人：
瑞萨电子株式会社
申请人地址：
日本东京都
IPC主分类号：
G11C16/10
IPC分类号：
G11C16/14 G11C16/26 G11C16/30
代理机构：
北京市金杜律师事务所 11256
代理人：
李辉;董典红
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-26 授权 授权
共 50 条
[1]
半导体器件 [P]. 
森保孝宪 ;
吉原和雄 ;
神田明彦 ;
浅井良彦 ;
小川大也 .
中国专利 :CN111105831A ,2020-05-05
[2]
半导体器件 [P]. 
野村隆夫 ;
森凉 ;
福冈一树 .
中国专利 :CN105390481A ,2016-03-09
[3]
半导体器件 [P]. 
千田稔 ;
濑户川润 .
中国专利 :CN101149973B ,2008-03-26
[4]
半导体器件 [P]. 
福士哲夫 ;
高桥弘行 ;
松重宗明 .
中国专利 :CN114495999A ,2022-05-13
[5]
半导体器件 [P]. 
高桥弘行 ;
吉田昌弘 .
中国专利 :CN109935257A ,2019-06-25
[6]
半导体器件 [P]. 
五十岚隆一 ;
松原胜重 ;
寺岛和昭 .
日本专利 :CN119152339A ,2024-12-17
[7]
半导体器件 [P]. 
高桥弘行 ;
吉田昌弘 .
日本专利 :CN109935257B ,2024-07-12
[8]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260A ,2024-11-15
[9]
半导体器件和操作半导体器件的方法 [P]. 
高桥弘行 .
中国专利 :CN101727962A ,2010-06-09
[10]
半导体器件和半导体器件的制备方法 [P]. 
曹堪宇 ;
杜国安 ;
邓放心 ;
曹宇 .
中国专利 :CN118973260B ,2025-02-07
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