开关LDMOS器件及制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202010321166.9

申请日：

2020-04-22

公开(公告)号：

CN111370491A

公开(公告)日：

2020-07-03

发明(设计)人：

杨新杰金锋乐薇张晗宋亮

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区祖冲之路1399号

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21336

代理机构：

上海浦一知识产权代理有限公司 31211

代理人：

焦健

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2020-07-28	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20200422
2020-07-03	公开	公开

共 50 条

[1]

开关LDMOS器件及制造方法 [P].

杨新杰 ;

金锋 ;

乐薇 ;

张晗 ;

宋亮 .

中国专利 :CN111370491B ,2024-01-19

[2]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

[3]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274857B ,2023-01-24

[4]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274858B ,2023-01-17

[5]

LDMOS器件的制造方法 [P].

刘长振 ;

令海阳 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN111668299A ,2020-09-15

[6]

LDMOS器件的制造方法 [P].

刘长振 ;

令海阳 ;

刘宪周 .

中国专利 :CN111668299B ,2024-02-09

[7]

开关LDMOS器件的制造方法 [P].

张晗 ;

杨新杰 ;

金锋 ;

乐薇 .

中国专利 :CN111883484A ,2020-11-03

[8]

LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P].

王清钢 .

中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25

[9]

LDMOS器件及制造方法 [P].

郭振强 ;

陈瑜 ;

邢超 .

中国专利 :CN104617139B ,2015-05-13

[10]

LDMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

慈朋亮 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104659090A ,2015-05-27

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