LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片

被引：0

申请号：

CN202211205447.3

申请日：

2022-09-30

公开(公告)号：

CN115274857B

公开(公告)日：

2023-01-24

发明(设计)人：

余山赵东艳陈燕宁付振刘芳王帅鹏王凯吴波邓永峰刘倩倩郁文张同

申请人：

申请人地址：

102200 北京市昌平区双营西路79号院中科云谷园11号楼一层

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2906 H01L2908 H01L21336

代理机构：

北京润平知识产权代理有限公司 11283

代理人：

李红

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2023-01-24	授权	授权
2022-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20220930

共 50 条

[1]

LDMOS器件、LDMOS器件制造方法及芯片 [P].

余山 ;

赵东艳 ;

陈燕宁 ;

付振 ;

刘芳 ;

王帅鹏 ;

王凯 ;

吴波 ;

邓永峰 ;

刘倩倩 ;

郁文 ;

张同 .

中国专利 :CN115274858B ,2023-01-17

[2]

LDMOS器件的制造方法及LDMOS器件 [P].

王清钢 .

中国专利 :CN120379288A ,2025-07-25

[3]

LDMOS器件、制备方法及芯片 [P].

赵东艳 ;

王于波 ;

郁文 ;

陈燕宁 ;

刘芳 ;

付振 ;

余山 ;

吴波 ;

王帅鹏 ;

刘倩倩 .

中国专利 :CN115084235B ,2022-09-20

[4]

开关LDMOS器件及制造方法 [P].

杨新杰 ;

金锋 ;

乐薇 ;

张晗 ;

宋亮 .

中国专利 :CN111370491A ,2020-07-03

[5]

开关LDMOS器件及制造方法 [P].

杨新杰 ;

金锋 ;

乐薇 ;

张晗 ;

宋亮 .

中国专利 :CN111370491B ,2024-01-19

[6]

LDMOS器件 [P].

方磊 .

中国专利 :CN104835842A ,2015-08-12

[7]

LDMOS器件及制造方法 [P].

郭振强 ;

陈瑜 ;

邢超 .

中国专利 :CN104617139B ,2015-05-13

[8]

LDMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

慈朋亮 ;

刘冬华 .

中国专利 :CN104659090A ,2015-05-27

[9]

LDMOS器件及制造方法 [P].

钱文生 ;

石晶 ;

慈朋亮 ;

胡君 ;

吴刚 .

中国专利 :CN104659091A ,2015-05-27

[10]

开关LDMOS器件及其制造方法 [P].

钱文生 .

中国专利 :CN111554579A ,2020-08-18

← 1 2 3 4 5 →