一种形成HARP层间介质层的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410554779.1

申请日：

2014-10-17

公开(公告)号：

CN105514021B

公开(公告)日：

2016-04-20

发明(设计)人：

肖莉红徐建华齐金和周洁鹏

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21762

IPC分类号：

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-05-18	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101660900175 IPC(主分类):H01L 21/762 专利申请号:2014105547791 申请日:20141017
2019-01-22	授权	授权
2016-04-20	公开	公开

共 50 条

[1]

层间介质层的刻蚀方法 [P].

戴鸿冉 .

中国专利 :CN110071110A ,2019-07-30

[2]

一种快闪存储器层间介质层的填充方法 [P].

许毅胜 ;

熊涛 ;

于法波 ;

刘钊 ;

舒清明 .

中国专利 :CN105336702B ,2016-02-17

[3]

层间介质层的形成方法 [P].

金立培 ;

李宗旭 ;

许隽 ;

张严 .

中国专利 :CN114823288A ,2022-07-29

[4]

层间介质层的形成方法 [P].

何德彦 .

中国专利 :CN119419170A ,2025-02-11

[5]

层间介质层的形成方法 [P].

田守卫 ;

姜国伟 ;

孙洪福 ;

王雷 .

中国专利 :CN115410988A ,2022-11-29

[6]

改善层间介质层研磨返工工艺的方法 [P].

徐莹 ;

罗飞 ;

周维 .

中国专利 :CN103972048A ,2014-08-06

[7]

层间介质层、半导体器件及其形成方法 [P].

李健 .

中国专利 :CN101661898A ,2010-03-03

[8]

在层间介质层自对准形成空隙的方法 [P].

鲍宇 .

中国专利 :CN103137550A ,2013-06-05

[9]

一种改善层间介质层空洞的方法 [P].

黄胜男 ;

罗清威 ;

李赟 .

中国专利 :CN108630526B ,2018-10-09

[10]

形成栅极的方法、平坦化层间介质层的方法 [P].

邵群 ;

陈枫 ;

黎铭琦 .

中国专利 :CN102969237B ,2013-03-13

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