多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710088583.1

申请日：

2017-02-17

公开(公告)号：

CN107268079B

公开(公告)日：

2017-10-20

发明(设计)人：

宫尾秀一祢津茂义

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

C30B2906

IPC分类号：

C30B3302

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

鲁雯雯;金龙河

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-20	公开	公开
2021-06-15	授权	授权
2019-03-12	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C30B 29/06 申请日:20170217

共 50 条

[1]

多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 ;

冈田哲郎 .

中国专利 :CN106255663B ,2016-12-21

[2]

多晶硅的制造方法以及单晶硅的制造方法 [P].

丁欣 .

中国专利 :CN106283180A ,2017-01-04

[3]

多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 .

中国专利 :CN107954427A ,2018-04-24

[4]

多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

石田昌彦 ;

星野成大 ;

祢津茂义 .

日本专利 :CN109694076B ,2024-03-19

[5]

多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

石田昌彦 ;

星野成大 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN109694076A ,2019-04-30

[6]

多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法 [P].

宮尾秀一 .

中国专利 :CN110133017B ,2019-08-16

[7]

多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN104395740A ,2015-03-04

[8]

多晶硅棒的选择方法及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN103547713B ,2014-01-29

[9]

多晶硅的包装方法、多晶硅的双重包装方法及单晶硅用原料制造方法 [P].

野田圣奈 .

中国专利 :CN111989267B ,2020-11-24

[10]

多晶硅制造装置以及多晶硅制造方法 [P].

大久保秀一 ;

山口雅嗣 .

中国专利 :CN103153856A ,2013-06-12

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