半导体装置、蓄电装置以及半导体装置的工作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080045169.2

申请日：

2020-06-24

公开(公告)号：

CN114026787A

公开(公告)日：

2022-02-08

发明(设计)人：

井上广树佐佐木宏辅八洼裕人高桥圭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县

IPC主分类号：

H03K3354

IPC分类号：

代理机构：

上海专利商标事务所有限公司 31100

代理人：

宋俊寅

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-07-19	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H03K 3/354 申请日:20200624
2022-02-08	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

高桥圭 ;

青木健 .

中国专利 :CN113424445A ,2021-09-21

[2]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

高桥圭 ;

青木健 ;

上妻宗广 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN114303315A ,2022-04-08

[3]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

冈本佑树 ;

石津贵彦 ;

高桥圭 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN113302778A ,2021-08-24

[4]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

木村清贵 ;

小林英智 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN113785344A ,2021-12-10

[5]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

大贯达也 ;

加藤清 ;

国武宽司 ;

方堂凉太 .

日本专利 :CN118696612A ,2024-09-24

[6]

半导体装置以及其工作方法 [P].

国武宽司 ;

本田龙之介 ;

热海知昭 .

中国专利 :CN111542880A ,2020-08-14

[7]

半导体装置以及其工作方法 [P].

国武宽司 ;

本田龙之介 ;

热海知昭 .

日本专利 :CN111542880B ,2024-10-29

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

马场晴之 ;

村山史织 .

日本专利 :CN111771287B ,2024-08-23

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

佐佐木俊成 ;

大原宏树 ;

坂田淳一郎 .

中国专利 :CN104658915B ,2015-05-27

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

山崎舜平 ;

宫入秀和 ;

宫永昭治 ;

秋元健吾 ;

白石康次郎 .

中国专利 :CN101640221B ,2010-02-03

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