半导体装置以及其工作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980007097.X

申请日：

2019-01-11

公开(公告)号：

CN111542880A

公开(公告)日：

2020-08-14

发明(设计)人：

国武宽司本田龙之介热海知昭

申请人：

申请人地址：

日本神奈川县厚木市

IPC主分类号：

G11C114074

IPC分类号：

G11C514 G11C704 G11C11405 G11C2950 H01L218242 H01L27108 H01L29786

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;姜冰

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-02-05	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):G11C 11/4074 申请日:20190111
2020-08-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体装置以及其工作方法 [P].

国武宽司 ;

本田龙之介 ;

热海知昭 .

日本专利 :CN111542880B ,2024-10-29

[2]

半导体装置及其工作方法 [P].

高桥圭 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN114258633A ,2022-03-29

[3]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

高桥圭 ;

青木健 .

中国专利 :CN113424445A ,2021-09-21

[4]

半导体装置及其工作方法 [P].

梅泽裕介 .

中国专利 :CN108109657A ,2018-06-01

[5]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

冈本佑树 ;

石津贵彦 ;

高桥圭 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN113302778A ,2021-08-24

[6]

半导体装置及半导体装置的工作方法 [P].

高桥圭 ;

青木健 ;

上妻宗广 ;

池田隆之 .

中国专利 :CN114303315A ,2022-04-08

[7]

半导体装置、蓄电装置以及半导体装置的工作方法 [P].

井上广树 ;

佐佐木宏辅 ;

八洼裕人 ;

高桥圭 .

中国专利 :CN114026787A ,2022-02-08

[8]

半导体装置及其工作方法 [P].

李垚 ;

陈伏宏 ;

刘家桦 ;

叶日铨 .

中国专利 :CN109360796A ,2019-02-19

[9]

半导体装置及其工作方法 [P].

陈伯廷 ;

吴宗祐 ;

林宗贤 .

中国专利 :CN109346423B ,2019-02-15

[10]

半导体装置，其工作方法及其制作方法 [P].

平濑顺司 ;

赤松宽范 ;

赤松晋 ;

堀隆 .

中国专利 :CN1111401A ,1995-11-08

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