半导体芯片的电极、具有电极的半导体芯片及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910203375.7

申请日：

2009-06-09

公开(公告)号：

CN101604817B

公开(公告)日：

2009-12-16

发明(设计)人：

多田健太郎

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01S502

IPC分类号：

H01S5343

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

孙志湧;穆德骏

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2013-07-17	授权	授权
2018-01-02	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更 IPC(主分类):H01S 5/02 变更事项:专利权人变更前:瑞萨电子株式会社变更后:瑞萨电子株式会社变更事项:地址变更前:日本神奈川变更后:日本东京
2009-12-16	公开	公开
2010-02-10	实质审查的生效	实质审查的生效
2019-05-31	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01S 5/02 申请日:20090609 授权公告日:20130717 终止日期:20180609

共 50 条

[1]

半导体芯片及其制造方法、半导体芯片的电极结构及其形成方法以及半导体装置 [P].

仲谷吾郎 .

中国专利 :CN101088152A ,2007-12-12

[2]

半导体芯片的制造方法、半导体装置的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

谷田一真 ;

根本义彦 ;

田中直敬 .

中国专利 :CN1551312A ,2004-12-01

[3]

半导体芯片的标记方法、半导体芯片的制造方法以及半导体芯片 [P].

松林弘人 ;

三浦猛 ;

山部滋生 .

日本专利 :CN118633147A ,2024-09-10

[4]

半导体芯片的制造方法和半导体芯片 [P].

有田洁 ;

中川显 .

中国专利 :CN100511642C ,2008-04-09

[5]

半导体芯片及半导体芯片的制造方法 [P].

北黑弘一 ;

门西裕 .

中国专利 :CN1190489A ,1998-08-12

[6]

半导体芯片的制造方法以及半导体芯片 [P].

楠木克辉 .

中国专利 :CN1890782A ,2007-01-03

[7]

半导体芯片以及制造半导体芯片的方法 [P].

U·斯特劳斯 .

中国专利 :CN101542751A ,2009-09-23

[8]

半导体芯片的制造方法及半导体芯片 [P].

有田洁 .

中国专利 :CN100517645C ,2008-01-16

[9]

半导体芯片、半导体晶片以及半导体芯片的制造方法 [P].

内田正雄 ;

林将志 .

中国专利 :CN102782804A ,2012-11-14

[10]

半导体芯片的制造方法、半导体芯片及半导体装置 [P].

浅野佑策 ;

樋口和人 ;

富冈泰造 ;

井口知洋 .

中国专利 :CN104637877A ,2015-05-20

← 1 2 3 4 5 →