具有黑磷沟道层的低接触电阻率FinFET及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201611100748.4

申请日：

2016-12-05

公开(公告)号：

CN108155236B

公开(公告)日：

2018-06-12

发明(设计)人：

刘源保罗·邦凡蒂

申请人：

申请人地址：

201306 上海市浦东新区泥城镇新城路2号24幢C1350室

IPC主分类号：

H01L2978

IPC分类号：

H01L2910 H01L21336 H01L29423

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

余明伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-07-06	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 29/78 申请日:20161205
2018-06-12	公开	公开
2020-08-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种低接触电阻率和沟道迁移率的MOS半导体结构 [P].

许一力 .

中国专利 :CN118712230A ,2024-09-27

[2]

具有低接触电阻率的晶体管及其制作方法 [P].

刘胜厚 ;

林科闯 ;

孙希国 ;

其他发明人请求不公开姓名 .

中国专利 :CN114267727A ,2022-04-01

[3]

光伏电池片及其制备方法、接触电阻率的测量方法 [P].

李硕 ;

杨慧 ;

邓伟伟 ;

蒋方丹 .

中国专利 :CN112993068B ,2021-06-18

[4]

一种接触电阻率和沟道迁移率的测试结构和测试方法 [P].

陈施施 ;

张新河 ;

杨安丽 ;

温正欣 ;

高博 ;

张国旗 .

中国专利 :CN111106093B ,2020-05-05

[5]

制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 [P].

李晓静 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

陈平 .

中国专利 :CN104392916A ,2015-03-04

[6]

接触电阻率的测量方法及装置 [P].

崔会英 ;

蒋硕 ;

仲崇娇 ;

钱亮 ;

嵇友谊 ;

钱晟浩 .

中国专利 :CN106298570A ,2017-01-04

[7]

具有低接触电阻率的互补金属氧化物半导体及其形成方法 [P].

万幸仁 ;

柯志欣 ;

吴政宪 ;

时定康 ;

林浩宇 .

中国专利 :CN103915438B ,2014-07-09

[8]

一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法 [P].

潘磊 ;

卢双赞 ;

柳俊 .

中国专利 :CN117855266A ,2024-04-09

[9]

探针间距校准方法、接触电阻率和界面电阻率的测试方法 [P].

胡晓凯 .

中国专利 :CN111487465B ,2020-08-04

[10]

低欧姆接触电阻率的半导体结构及其半导体中间结构 [P].

姚广峰 ;

付文锋 .

中国专利 :CN223612844U ,2025-11-28

← 1 2 3 4 5 →