一种具有低欧姆接触电阻率的GaN基HEMT器件及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311724363.5

申请日：

2023-12-14

公开(公告)号：

CN117855266A

公开(公告)日：

2024-04-09

发明(设计)人：

潘磊卢双赞柳俊

申请人：

湖北九峰山实验室

申请人地址：

430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层

IPC主分类号：

H01L29/778

IPC分类号：

H01L29/06 H01L21/335

代理机构：

武汉蓝宝石专利代理事务所(特殊普通合伙) 42242

代理人：

方菲

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-08-30	著录事项变更	著录事项变更IPC(主分类):H01L 29/778变更事项:申请人变更前:湖北九峰山实验室变更后:湖北九峰山实验室变更事项:国家或地区变更前:中国变更后:中国变更事项:地址变更前:430000 湖北省武汉市东湖开发区关东科技工业园华光大道18号19层变更后:430000 湖北省武汉市东湖新技术开发区九龙湖街9号
2024-04-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/778申请日:20231214
2024-04-09	公开	公开

共 50 条

[1]

一种降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

周建军 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 .

中国专利 :CN105118780B ,2015-12-02

[2]

制备低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触的方法 [P].

李晓静 ;

赵德刚 ;

江德生 ;

刘宗顺 ;

朱建军 ;

陈平 .

中国专利 :CN104392916A ,2015-03-04

[3]

一种低比导通电阻率GaN HEMT器件及其制备方法 [P].

卢双赞 ;

李思超 ;

柳俊 ;

葛晓明 ;

程涛 ;

贾汉祥 ;

尹雪兵 ;

赵波 .

中国专利 :CN120239293A ,2025-07-01

[4]

HEMT器件及降低HEMT器件的欧姆接触电阻的方法 [P].

孙英斐 ;

张宇翔 ;

于国浩 ;

赵德胜 ;

曾中明 ;

张宝顺 .

中国专利 :CN118263124A ,2024-06-28

[5]

一种自对准低欧姆接触电阻GaN HEMT器件 [P].

朱广润 ;

张凯 ;

周建军 ;

陈堂胜 .

中国专利 :CN213782023U ,2021-07-23

[6]

一种GaN基HEMT器件的欧姆接触电极的制备方法 [P].

李国强 ;

罗玲 ;

吴能滔 ;

李善杰 .

中国专利 :CN117393423A ,2024-01-12

[7]

一种基于再生长技术降低GaN HEMT器件欧姆接触电阻的方法及GaN HEMT器件 [P].

周建军 ;

孔月婵 ;

孔岑 ;

郁鑫鑫 ;

张凯 ;

郁元卫 .

中国专利 :CN105895687A ,2016-08-24

[8]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

王元刚 ;

徐鹏 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103928323A ,2014-07-16

[9]

降低HEMT器件欧姆接触电阻的方法 [P].

吕元杰 ;

冯志红 ;

顾国栋 ;

郭红雨 ;

尹甲运 ;

敦少博 .

中国专利 :CN103903982A ,2014-07-02

[10]

一种低比接触电阻率的p-GaN欧姆接触电极及其制备方法和应用 [P].

王玮 ;

王宏兴 ;

林芳 ;

问峰 ;

张明辉 ;

陈根强 .

中国专利 :CN110797399A ,2020-02-14

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