刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811416581.1

申请日：

2018-11-26

公开(公告)号：

CN110021526A

公开(公告)日：

2019-07-16

发明(设计)人：

李相炫李全一康诚右申洪湜吴怜默李升玟

申请人：

申请人地址：

韩国京畿道

IPC主分类号：

H01L21311

IPC分类号：

H01L21336

代理机构：

北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112

代理人：

赵南;张青

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2019-07-16	公开	公开

共 50 条

[1]

刻蚀方法以及利用该刻蚀方法制造半导体器件的方法 [P].

李相炫 ;

李全一 ;

康诚右 ;

申洪湜 ;

吴怜默 ;

李升玟 .

韩国专利 :CN110021526B ,2024-09-06

[2]

凹槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

邓咏桢 ;

陈莹莹 .

中国专利 :CN102683180A ,2012-09-19

[3]

刻蚀方法以及半导体器件的制造方法 [P].

韩朋刚 ;

许鹏凯 .

中国专利 :CN110896029B ,2020-03-20

[4]

半导体器件刻蚀方法以及半导体器件 [P].

于世瑞 .

中国专利 :CN102231362A ,2011-11-02

[5]

半导体器件的刻蚀方法及刻蚀装置 [P].

刘隆冬 .

中国专利 :CN112259550A ,2021-01-22

[6]

刻蚀方法，半导体器件制造方法及半导体器件 [P].

孙长征 ;

张玉乾 ;

唐家乐 ;

赖明智 .

中国专利 :CN113808936A ,2021-12-17

[7]

刻蚀方法、半导体器件及其制造方法 [P].

谢岩 ;

邹浩 ;

丁振宇 .

中国专利 :CN111312587A ,2020-06-19

[8]

沟槽刻蚀方法以及半导体器件制造方法 [P].

熊磊 ;

奚斐 .

中国专利 :CN102437026B ,2012-05-02

[9]

刻蚀方法及半导体器件的制造方法 [P].

陈宏 .

中国专利 :CN111681957A ,2020-09-18

[10]

刻蚀方法和半导体器件的制造方法 [P].

刘卫 .

中国专利 :CN109461697A ,2019-03-12

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