MEMS氢传感器及氢感测系统

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110614479.8

申请日：

2021-06-02

公开(公告)号：

CN114152649A

公开(公告)日：

2022-03-08

发明(设计)人：

金东求金炫秀俞一善

申请人：

申请人地址：

韩国首尔

IPC主分类号：

G01N2712

IPC分类号：

G01N3110 G01N3112 B81B700 B81B702

代理机构：

北京路浩知识产权代理有限公司 11002

代理人：

崔龙铉;赵赫

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-08	公开	公开

共 50 条

[1]

感测芯片及MEMS传感器 [P].

邱冠勋 ;

周宗燐 .

中国专利 :CN112822616A ,2021-05-18

[2]

氢传感器 [P].

内山直树 ;

松本博幸 ;

中林正刚 .

中国专利 :CN101449147A ,2009-06-03

[3]

氢传感器 [P].

宫照霞 .

中国专利 :CN301043935D ,2009-10-21

[4]

氢传感器 [P].

I·帕弗洛弗斯基 ;

R·L·芬克 ;

Z·雅尼弗 .

中国专利 :CN101467030B ,2009-06-24

[5]

氢传感器 [P].

植田敏嗣 ;

大井川宽 .

中国专利 :CN108027333A ,2018-05-11

[6]

氢传感器 [P].

内山直树 ;

吉村和记 .

中国专利 :CN101680863B ,2010-03-24

[7]

氢传感器 [P].

本间运也 ;

伊藤理 ;

片山幸治 .

日本专利 :CN117795326A ,2024-03-29

[8]

氢传感器 [P].

R·沙勒 ;

K·伊利安 .

德国专利 :CN117434208A ,2024-01-23

[9]

MEMS传感器设备和感测方法 [P].

M·哈斯勒 ;

A·博格纳 ;

P·格雷纳 ;

A·韦斯鲍尔 .

德国专利 :CN120864438A ,2025-10-31

[10]

测氢压力传感器 [P].

黎卓韬 ;

陈晨 ;

陈玉柱 .

中国专利 :CN212432400U ,2021-01-29

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