具有去耦合电容器的半导体裸片

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110960641.1

申请日：

2021-08-20

公开(公告)号：

CN114256243A

公开(公告)日：

2022-03-29

发明(设计)人：

杨吴德

申请人：

申请人地址：

中国台湾新北市泰山区南林路98号

IPC主分类号：

H01L27108

IPC分类号：

代理机构：

隆天知识产权代理有限公司 72003

代理人：

聂慧荃;郑特强

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-03-29	公开	公开
2022-04-15	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/108 申请日:20210820

共 50 条

[1]

具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法 [P].

F·F·维拉 ;

M·莫里利 ;

M·马彻西 ;

S·D·马里亚尼 ;

F·F·R·托亚 .

:CN110047817B ,2024-03-19

[2]

具有埋置电容器的半导体裸片以及制造半导体裸片的方法 [P].

F·F·维拉 ;

M·莫里利 ;

M·马彻西 ;

S·D·马里亚尼 ;

F·F·R·托亚 .

中国专利 :CN110047817A ,2019-07-23

[3]

具有电容裸片的半导体封装 [P].

B·阿布德尔-戴姆 ;

T·A·沃尔普 .

中国专利 :CN118743019A ,2024-10-01

[4]

具有裸片上去耦合电容器的集成电路 [P].

K·S·吴 ;

B·王 ;

施红 ;

刘辉 ;

S·舒马拉耶夫 ;

S·钱德拉 ;

丁玮琦 ;

K·钱德 .

中国专利 :CN104241273A ,2014-12-24

[5]

具有电容器的半导体器件 [P].

小杉武史 ;

大芦敏行 .

中国专利 :CN1466222A ,2004-01-07

[6]

半导体电容器 [P].

吴秉桓 .

中国专利 :CN208954983U ,2019-06-07

[7]

半导体电容器 [P].

早见泰明 ;

林哲也 ;

图子祐辅 ;

倪威 ;

大久保明范 .

中国专利 :CN109564894B ,2019-04-02

[8]

半导体电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208298827U ,2018-12-28

[9]

半导体电容器 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN208690259U ,2019-04-02

[10]

半导体电容器 [P].

P·J·霍波 ;

W·弗兰茨 .

中国专利 :CN103189982A ,2013-07-03

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