结晶氮化镓以及相关的晶片和器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880007693.X

申请日：

2008-01-09

公开(公告)号：

CN101641463A

公开(公告)日：

2010-02-03

发明(设计)人：

马克·P·德维林朴东实史蒂文·F·勒波伊夫拉里·B·劳兰德克里斯蒂·J·纳兰洪慧聪斯蒂芬·D·阿瑟彼得·M·桑德维克

申请人：

申请人地址：

美国康涅狄格州

IPC主分类号：

C30B710

IPC分类号：

C30B912 C30B2940

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

王国祥

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-03	公开	公开
2013-01-02	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回号牌文件类型代码:1603 号牌文件序号:101491215265 IPC(主分类):C30B 7/10 专利申请号:200880007693X 申请公布日:20100203
2010-03-24	实质审查的生效	实质审查的生效

共 50 条

[1]

制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片 [P].

上村智喜 ;

樱田隆 ;

藤原伸介 ;

罔久拓司 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101432471A ,2009-05-13

[2]

氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法 [P].

房育涛 ;

胡浩林 ;

蔡子东 ;

高园 .

中国专利 :CN120358782B ,2025-09-19

[3]

氮化镓器件和氮化镓器件的制备方法 [P].

房育涛 ;

胡浩林 ;

蔡子东 ;

高园 .

中国专利 :CN120358782A ,2025-07-22

[4]

氮化镓晶体和晶片 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·勒布厄夫 ;

拉里·B·罗兰 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

斯蒂芬·D·阿瑟 ;

彼得·M·桑德维克 .

中国专利 :CN101583744A ,2009-11-18

[5]

氮化镓单结晶晶片的制造方法 [P].

张海涛 .

中国专利 :CN109411329A ,2019-03-01

[6]

外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片 [P].

桥本信 ;

秋田胜史 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

元木健作 .

中国专利 :CN102308370B ,2012-01-04

[7]

氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103811611A ,2014-05-21

[8]

基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法 [P].

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101647091B ,2010-02-10

[9]

一种氮化镓器件的加工方法和氮化镓器件 [P].

陈建国 ;

张枫 ;

刘蓬 ;

谢春诚 .

中国专利 :CN104143592A ,2014-11-12

[10]

氮化镓器件 [P].

霍炎 ;

谢雷 ;

谭富耀 .

中国专利 :CN216488068U ,2022-05-10

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