氮化镓单结晶晶片的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201811108987.3

申请日：

2018-09-21

公开(公告)号：

CN109411329A

公开(公告)日：

2019-03-01

发明(设计)人：

张海涛

申请人：

申请人地址：

214101 江苏省无锡市滨湖区胜利新村61-7号201

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L2120 H01L21205

代理机构：

北京智客联合知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 11700

代理人：

杨群

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-09-30	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/02 申请公布日:20190301
2019-03-26	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20180921
2019-07-16	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20190626 变更事项:申请人变更前权利人:张海涛变更后权利人:无锡吴越半导体有限公司变更事项:地址变更前权利人:214101 江苏省无锡市滨湖区胜利新村61-7号201 变更后权利人:214000 江苏省无锡市新吴区漓江路11号
2019-03-01	公开	公开

共 50 条

[1]

一种氮化镓单结晶基板的制造方法 [P].

山本晓 ;

张海涛 ;

刘良宏 ;

许彬 ;

庞博 .

中国专利 :CN113035689A ,2021-06-25

[2]

制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片 [P].

上村智喜 ;

樱田隆 ;

藤原伸介 ;

罔久拓司 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101432471A ,2009-05-13

[3]

氮化镓的块状单结晶的制造方法 [P].

罗伯特·德威林斯基 ;

罗曼·多拉辛斯基 ;

哲兹·卡兹尼斯基 ;

莱哲克·西芝普陶斯基 ;

神原康雄 .

中国专利 :CN1260409C ,2003-12-24

[4]

氮化镓结晶的制造方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1202291C ,1998-12-30

[5]

氮化镓结晶生长用蓝宝石基板、氮化镓结晶的制造方法及氮化镓结晶 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 .

中国专利 :CN103811611A ,2014-05-21

[6]

用于制造氮化镓晶片的方法 [P].

金容进 ;

李东健 ;

金杜洙 ;

李浩准 ;

李启珍 .

中国专利 :CN102754188A ,2012-10-24

[7]

一种基于磁控溅射氮化铝的氮化镓单结晶基板制造方法 [P].

山本晓 ;

张海涛 ;

刘良宏 ;

许彬 ;

庞博 .

中国专利 :CN113046712A ,2021-06-29

[8]

结晶氮化镓以及相关的晶片和器件 [P].

马克·P·德维林 ;

朴东实 ;

史蒂文·F·勒波伊夫 ;

拉里·B·劳兰德 ;

克里斯蒂·J·纳兰 ;

洪慧聪 ;

斯蒂芬·D·阿瑟 ;

彼得·M·桑德维克 .

中国专利 :CN101641463A ,2010-02-03

[9]

氮化镓结晶、13族氮化物结晶、结晶基板、以及它们的制造方法 [P].

南部洋志 ;

岩田浩和 ;

佐藤隆 .

中国专利 :CN102892933A ,2013-01-23

[10]

氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 [P].

藤田俊介 .

中国专利 :CN101353819A ,2009-01-28

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