用于制造氮化镓晶片的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201180008490.4

申请日：

2011-01-28

公开(公告)号：

CN102754188A

公开(公告)日：

2012-10-24

发明(设计)人：

金容进李东健金杜洙李浩准李启珍

申请人：

申请人地址：

韩国庆尚北道

IPC主分类号：

H01L2120

IPC分类号：

代理机构：

北京派特恩知识产权代理事务所(普通合伙) 11270

代理人：

张颖玲;孟桂超

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2015-11-25	授权	授权
2012-12-19	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101367526001 IPC(主分类):H01L 21/20 专利申请号:2011800084904 申请日:20110128
2012-10-24	公开	公开

共 50 条

[1]

氮化镓单结晶晶片的制造方法 [P].

张海涛 .

中国专利 :CN109411329A ,2019-03-01

[2]

制作氮化镓结晶的方法及氮化镓晶片 [P].

上村智喜 ;

樱田隆 ;

藤原伸介 ;

罔久拓司 ;

上松康二 ;

中幡英章 .

中国专利 :CN101432471A ,2009-05-13

[3]

氮化镓晶体生长方法、氮化镓晶体衬底、外延晶片制造方法和外延晶片 [P].

藤田俊介 .

中国专利 :CN101353819A ,2009-01-28

[4]

氮化镓晶体、氮化镓基板及氮化镓晶体的制造方法 [P].

三川丰 ;

栗本浩平 ;

包全喜 .

日本专利 :CN117897521A ,2024-04-16

[5]

金刚石载氮化镓晶片以及制造设备和制造方法 [P].

D·弗朗西斯 ;

F·纳塞尔-费利 ;

K·马修斯 ;

F·Y·洛 ;

Q·迪杜克 ;

S·蔡塞夫 ;

F·埃耶克哈姆 .

中国专利 :CN104285001A ,2015-01-14

[6]

氮化镓或氮化铝镓层的制造方法 [P].

H·拉尔彻 .

中国专利 :CN101978470B ,2011-02-16

[7]

基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法 [P].

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101647091B ,2010-02-10

[8]

制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板 [P].

林圣根 ;

朴甫益 ;

朴喆民 ;

李东龙 ;

金宇理汉 ;

金俊会 ;

裵峻莹 ;

李原兆 ;

崔准成 .

中国专利 :CN103489970A ,2014-01-01

[9]

镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法 [P].

守山实希 ;

上田干人 ;

铃木树生 ;

森勇介 ;

今西正幸 .

中国专利 :CN112680604B ,2021-04-20

[10]

富镓氮化镓薄膜的制造方法 [P].

K·S·A·巴彻 ;

T·L·坦斯利 ;

阿菲富丁 .

中国专利 :CN1662448B ,2005-08-31

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