镓的制造方法、钠的制造方法、氮化镓的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202011103399.8

申请日：

2020-10-15

公开(公告)号：

CN112680604B

公开(公告)日：

2021-04-20

发明(设计)人：

守山实希上田干人铃木树生森勇介今西正幸

申请人：

申请人地址：

日本爱知县

IPC主分类号：

C22B5800

IPC分类号：

C22B2610 C25C122 C30B1904

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

金世煜;李书慧

法律状态：

公开

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2021-04-20	公开	公开
2023-02-17	授权	授权
2021-05-07	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):C22B 58/00 申请日:20201015

共 50 条

[1]

制造氮化镓基板的方法及由此制造的氮化镓基板 [P].

林圣根 ;

朴甫益 ;

朴喆民 ;

李东龙 ;

金宇理汉 ;

金俊会 ;

裵峻莹 ;

李原兆 ;

崔准成 .

中国专利 :CN103489970A ,2014-01-01

[2]

富镓氮化镓薄膜的制造方法 [P].

K·S·A·巴彻 ;

T·L·坦斯利 ;

阿菲富丁 .

中国专利 :CN1662448B ,2005-08-31

[3]

制造氮化镓衬底的方法 [P].

金美贤 ;

姜三默 ;

金峻渊 ;

卓泳助 ;

朴永洙 .

中国专利 :CN107978659A ,2018-05-01

[4]

氮化镓基板的制造方法 [P].

张海涛 .

中国专利 :CN109148268A ,2019-01-04

[5]

氮化镓基板的制造方法 [P].

藤仓序章 .

中国专利 :CN103367137A ,2013-10-23

[6]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN110295390A ,2019-10-01

[7]

氮化镓薄膜的制造方法 [P].

白井雅纪 ;

山本拓司 ;

高泽悟 .

中国专利 :CN110574144A ,2019-12-13

[8]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1177655A ,1998-04-01

[9]

氮化镓结晶的制造方法 [P].

油利正昭 ;

上田哲三 ;

马场孝明 .

中国专利 :CN1202291C ,1998-12-30

[10]

氮化镓晶体的制造方法 [P].

佐藤隆 ;

皿山正二 ;

林昌弘 ;

三好直哉 ;

木村千春 ;

和田纯一 .

中国专利 :CN106103816A ,2016-11-09

← 1 2 3 4 5 →