基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200880010360.2

申请日：

2008-02-20

公开(公告)号：

CN101647091B

公开(公告)日：

2010-02-10

发明(设计)人：

善积祐介上野昌纪中村孝夫

申请人：

申请人地址：

日本大阪府

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

H01L3300

代理机构：

中原信达知识产权代理有限责任公司 11219

代理人：

陈海涛;樊卫民

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2010-02-10	公开	公开
2010-04-14	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101000901259 IPC(主分类):H01L 21/205 专利申请号:2008800103602 申请日:20080220
2018-03-13	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/205 申请日:20080220 授权公告日:20111123 终止日期:20170220
2011-11-23	授权	授权

共 50 条

[1]

制造氮化镓半导体发光器件的方法 [P].

郭准燮 .

中国专利 :CN1501521A ,2004-06-02

[2]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

[3]

外延晶片、氮化镓系半导体器件的制作方法、氮化镓系半导体器件及氧化镓晶片 [P].

桥本信 ;

秋田胜史 ;

藤原伸介 ;

中幡英章 ;

元木健作 .

中国专利 :CN102308370B ,2012-01-04

[4]

Ⅲ族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体、基于氮化镓的化合物半导体发光器件、以及使用半导体发光器件的光源 [P].

浦岛泰人 ;

奥山峰夫 ;

桜井哲朗 ;

三木久幸 .

中国专利 :CN100341115C ,2005-05-18

[5]

基于氮化镓的化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN100438101C ,2007-02-21

[6]

氮化镓序列的复合半导体发光器件 [P].

小野村正明 ;

板谷和彦 ;

波多腰玄一 .

中国专利 :CN1094659C ,1998-03-18

[7]

一种氮化镓基半导体发光器件的制造方法 [P].

廖齐华 ;

许亚红 ;

李水清 ;

林雪娇 ;

黄慧君 ;

卢利香 .

中国专利 :CN102214745B ,2011-10-12

[8]

生长氮化镓的方法、氮化镓外延结构及半导体器件 [P].

肖怀曙 ;

谢春林 .

中国专利 :CN108242385A ,2018-07-03

[9]

基于氮化镓的半导体功率器件及其制造方法 [P].

王琮 .

中国专利 :CN112750898A ,2021-05-04

[10]

一种氮化镓系半导体发光器件外延片的制作方法 [P].

徐琦 .

中国专利 :CN102842659B ,2012-12-26

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