氮化镓序列的复合半导体发光器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN97118284.1

申请日：

1997-09-08

公开(公告)号：

CN1094659C

公开(公告)日：

1998-03-18

发明(设计)人：

小野村正明板谷和彦波多腰玄一

申请人：

申请人地址：

日本神奈川

IPC主分类号：

H01L3300

IPC分类号：

H01S532

代理机构：

上海专利商标事务所

代理人：

孙敬国

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2002-11-20	授权	授权
2017-10-31	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/00 申请日:19970908 授权公告日:20021120
1998-03-18	公开	公开
1998-06-24	实质审查请求的生效	实质审查请求的生效

共 50 条

[1]

制造氮化镓基半导体发光器件的方法 [P].

吕寅准 ;

金玄永 ;

宋尚烨 .

中国专利 :CN103426984A ,2013-12-04

[2]

制造氮化镓半导体发光器件的方法 [P].

郭准燮 .

中国专利 :CN1501521A ,2004-06-02

[3]

基于氮化镓的化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN100438101C ,2007-02-21

[4]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

三木久幸 ;

篠原裕直 ;

龟井宏二 .

中国专利 :CN101213678A ,2008-07-02

[5]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101699637A ,2010-04-28

[6]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

龟井宏二 .

中国专利 :CN101238594B ,2008-08-06

[7]

氮化镓基化合物半导体发光器件 [P].

篠原裕直 ;

三木久幸 ;

村木典孝 .

中国专利 :CN100568562C ,2008-09-03

[8]

氮化镓系化合物半导体发光器件 [P].

中村修二 ;

山田孝夫 ;

妹尾雅之 ;

山田元量 ;

板东完治 .

中国专利 :CN1482690A ,2004-03-17

[9]

半导体发光器件和氮化物半导体发光器件 [P].

驹田聪 .

中国专利 :CN101276875B ,2008-10-01

[10]

基于氮化镓的外延晶片和制造基于氮化镓的半导体发光器件的方法 [P].

善积祐介 ;

上野昌纪 ;

中村孝夫 .

中国专利 :CN101647091B ,2010-02-10

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