一种氮化物半导体材料气相外延用反应器设计及方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201410028993.3

申请日：

2014-01-22

公开(公告)号：

CN103789823A

公开(公告)日：

2014-05-14

发明(设计)人：

魏武刘鹏熊欢张俊业赵红军童玉珍张国义

申请人：

申请人地址：

523518 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

C30B2508

IPC分类号：

C30B2938

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2014-05-14	公开	公开
2014-06-11	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101582902475 IPC(主分类):C30B 25/08 专利申请号:2014100289933 申请日:20140122
2016-04-27	授权	授权

共 50 条

[1]

一种氮化物半导体材料的外延生长方法 [P].

陈一仁 ;

周星宇 ;

张志伟 ;

宋航 ;

缪国庆 ;

蒋红 ;

李志明 .

中国专利 :CN112820626A ,2021-05-18

[2]

氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法 [P].

清见和正 ;

堀江秀善 ;

石渡俊男 ;

藤村勇夫 .

中国专利 :CN101138073A ,2008-03-05

[3]

一种氮化物半导体材料的制备方法 [P].

郭志宏 .

中国专利 :CN110541158A ,2019-12-06

[4]

一种材料气相外延用扇形喷头结构 [P].

张俊业 ;

刘鹏 ;

毕绿燕 ;

赵红军 ;

袁志鹏 ;

张国义 ;

童玉珍 .

中国专利 :CN103103501A ,2013-05-15

[5]

氮化物半导体材料的制备方法 [P].

贾海强 ;

唐先胜 ;

杜春花 ;

陈弘 ;

江洋 ;

王文新 .

中国专利 :CN111933513B ,2025-07-22

[6]

氮化物半导体材料的蚀刻方法 [P].

彭隆瀚 ;

庄志伟 ;

何晋国 ;

陈金源 .

中国专利 :CN1060541C ,1999-03-31

[7]

氮化物半导体材料的制备方法 [P].

贾海强 ;

唐先胜 ;

杜春花 ;

陈弘 ;

江洋 ;

王文新 .

中国专利 :CN111933513A ,2020-11-13

[8]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[9]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[10]

氮化物半导体外延片的制造方法及氮化物半导体外延片用复合基板 [P].

土屋庆太郎 ;

久保埜一平 ;

萩本和德 .

日本专利 :CN119998503A ,2025-05-13

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