氮化物半导体材料及氮化物半导体结晶的制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200680005598.7

申请日：

2006-02-08

公开(公告)号：

CN101138073A

公开(公告)日：

2008-03-05

发明(设计)人：

清见和正堀江秀善石渡俊男藤村勇夫

申请人：

申请人地址：

日本东京都

IPC主分类号：

H01L21205

IPC分类号：

C23C1634 H01L3300

代理机构：

北京市柳沈律师事务所

代理人：

陶凤波

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2008-03-05	公开	公开
2008-10-22	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回

共 50 条

[1]

氮化物半导体和氮化物半导体的制造方法 [P].

小河淳 ;

远崎学 ;

冈崎舞 ;

藤重阳介 ;

田尻雅之 ;

伊藤伸之 .

中国专利 :CN106796870A ,2017-05-31

[2]

氮化物半导体装置、氮化物半导体衬底以及氮化物半导体装置的制造方法 [P].

出来真斗 ;

陆顺 ;

天野浩 ;

本田善央 ;

田中敦之 ;

伊藤佑太 .

日本专利 :CN117716509A ,2024-03-15

[3]

氮化物半导体晶片、氮化物半导体器件和制造氮化物半导体晶片的方法 [P].

吉田学史 ;

彦坂年辉 ;

原田佳幸 ;

杉山直治 ;

布上真也 .

中国专利 :CN103682009A ,2014-03-26

[4]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155278B ,2018-06-12

[5]

氮化物半导体模板的制造方法、氮化物半导体模板及氮化物半导体器件 [P].

藤仓序章 ;

今野泰一郎 ;

三宅秀人 .

中国专利 :CN108155279A ,2018-06-12

[6]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706142A ,2023-02-17

[7]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706142B ,2025-12-23

[8]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

日本专利 :CN115706143B ,2025-10-17

[9]

氮化物半导体、半导体装置以及氮化物半导体的制造方法 [P].

彦坂年辉 ;

名古肇 ;

田岛纯平 ;

布上真也 .

中国专利 :CN115706143A ,2023-02-17

[10]

氮化物半导体结构、氮化物半导体发光元件、氮化物半导体晶体管元件、氮化物半导体结构的制造方法以及氮化物半导体元件的制造方法 [P].

荒木正浩 ;

吉田慎也 ;

泷口治久 ;

小河淳 ;

木下多贺雄 ;

村田彻 ;

船木毅 ;

布袋田畅行 .

中国专利 :CN103403886A ,2013-11-20

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