一种半导体器件及其制造方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610882481.2

申请日：

2016-10-09

公开(公告)号：

CN107919282A

公开(公告)日：

2018-04-17

发明(设计)人：

神兆旭卑多慧

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L21335

IPC分类号：

H01L29775 H01L2128 H01L29423 H01L2906

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-17	公开	公开
2020-09-29	授权	授权
2018-05-11	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/335 申请日:20161009

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

神兆旭 ;

卑多慧 .

中国专利 :CN107978565A ,2018-05-01

[2]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107978564A ,2018-05-01

[3]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106601618B ,2017-04-26

[4]

一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置 [P].

居建华 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN105097513B ,2015-11-25

[5]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

金吉松 ;

毛明军 .

中国专利 :CN110649091B ,2024-02-27

[6]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105990372B ,2016-10-05

[7]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN108091569A ,2018-05-29

[8]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

王明军 ;

汪新学 ;

邢超 .

中国专利 :CN107403753B ,2017-11-28

[9]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

邱慈云 ;

陈玉华 ;

江宇雷 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN108206216A ,2018-06-26

[10]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105990425A ,2016-10-05

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