一种半导体器件及其制造方法和电子装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610937675.8

申请日：

2016-10-24

公开(公告)号：

CN107978565A

公开(公告)日：

2018-05-01

发明(设计)人：

神兆旭卑多慧

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江路18号

IPC主分类号：

H01L218238

IPC分类号：

H01L27092

代理机构：

北京市磐华律师事务所 11336

代理人：

董巍;高伟

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-05-25	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/8238 申请日:20161024
2018-05-01	公开	公开
2020-07-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

神兆旭 ;

卑多慧 .

中国专利 :CN107919282A ,2018-04-17

[2]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

张海洋 .

中国专利 :CN106601618B ,2017-04-26

[3]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

李勇 .

中国专利 :CN107978564A ,2018-05-01

[4]

一种半导体器件的制造方法、半导体器件和电子装置 [P].

居建华 ;

俞少峰 .

中国专利 :CN105097513B ,2015-11-25

[5]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

金吉松 ;

毛明军 .

中国专利 :CN110649091B ,2024-02-27

[6]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

肖德元 .

中国专利 :CN105990372B ,2016-10-05

[7]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

徐长春 .

中国专利 :CN107305865A ,2017-10-31

[8]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

赵猛 .

中国专利 :CN108091569A ,2018-05-29

[9]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

王明军 ;

汪新学 ;

邢超 .

中国专利 :CN107403753B ,2017-11-28

[10]

一种半导体器件及其制造方法和电子装置 [P].

邱慈云 ;

陈玉华 ;

江宇雷 ;

蔡建祥 .

中国专利 :CN108206216A ,2018-06-26

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