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半导体基板及其形成方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202010488964.0
申请日
:
2020-06-02
公开(公告)号
:
CN113764434A
公开(公告)日
:
2021-12-07
发明(设计)人
:
李文中
廖翠芸
焦平海
申请人
:
申请人地址
:
中国台湾桃园市龙潭区龙潭科学园区龙园一路100号
IPC主分类号
:
H01L2712
IPC分类号
:
H01L21762
代理机构
:
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
:
黄艳
法律状态
:
实质审查的生效
国省代码
:
引用
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2021-12-24
实质审查的生效
实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 27/12 申请日:20200602
2021-12-07
公开
公开
共 50 条
[1]
半导体基板及其形成方法
[P].
陈亭瑞
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
陈亭瑞
;
郑宏祥
论文数:
0
引用数:
0
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0
郑宏祥
;
廖国成
论文数:
0
引用数:
0
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0
廖国成
;
田云翔
论文数:
0
引用数:
0
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0
田云翔
.
中国专利
:CN115132693A
,2022-09-30
[2]
半导体基板及其形成方法
[P].
李文中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
李文中
;
廖翠芸
论文数:
0
引用数:
0
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0
廖翠芸
;
焦平海
论文数:
0
引用数:
0
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0
焦平海
.
中国专利
:CN113764433A
,2021-12-07
[3]
半导体基板及其形成方法
[P].
李文中
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合晶科技股份有限公司
合晶科技股份有限公司
李文中
;
廖翠芸
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合晶科技股份有限公司
合晶科技股份有限公司
廖翠芸
;
焦平海
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
合晶科技股份有限公司
合晶科技股份有限公司
焦平海
.
中国专利
:CN113764433B
,2025-02-07
[4]
半导体基板结构及其形成方法
[P].
黄文宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄文宏
.
中国专利
:CN113555338A
,2021-10-26
[5]
半导体基板结构及其形成方法
[P].
黄文宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
黄文宏
.
中国专利
:CN113555337A
,2021-10-26
[6]
半导体基板结构及其形成方法
[P].
黄文宏
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
日月光半导体制造股份有限公司
日月光半导体制造股份有限公司
黄文宏
.
中国专利
:CN113555337B
,2025-04-25
[7]
半导体基板结构及其形成方法
[P].
黄文宏
论文数:
0
引用数:
0
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0
黄文宏
;
石立节
论文数:
0
引用数:
0
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0
石立节
.
中国专利
:CN113675177A
,2021-11-19
[8]
半导体基板、半导体装置、及半导体结构的形成方法
[P].
陈志谚
论文数:
0
引用数:
0
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0
陈志谚
.
中国专利
:CN113838904A
,2021-12-24
[9]
半导体结构、半导体元件及其形成方法
[P].
林柏均
论文数:
0
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0
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林柏均
;
朱金龙
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
朱金龙
.
中国专利
:CN108962855B
,2018-12-07
[10]
半导体结构及其形成方法
[P].
庄景诚
论文数:
0
引用数:
0
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0
庄景诚
.
中国专利
:CN113471196A
,2021-10-01
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