半导体基板及其形成方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202010488964.0
申请日
2020-06-02
公开(公告)号
CN113764434A
公开(公告)日
2021-12-07
发明(设计)人
李文中 廖翠芸 焦平海
申请人
申请人地址
中国台湾桃园市龙潭区龙潭科学园区龙园一路100号
IPC主分类号
H01L2712
IPC分类号
H01L21762
代理机构
隆天知识产权代理有限公司 72003
代理人
黄艳
法律状态
实质审查的生效
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体基板及其形成方法 [P]. 
陈亭瑞 ;
郑宏祥 ;
廖国成 ;
田云翔 .
中国专利 :CN115132693A ,2022-09-30
[2]
半导体基板及其形成方法 [P]. 
李文中 ;
廖翠芸 ;
焦平海 .
中国专利 :CN113764433A ,2021-12-07
[3]
半导体基板及其形成方法 [P]. 
李文中 ;
廖翠芸 ;
焦平海 .
中国专利 :CN113764433B ,2025-02-07
[4]
半导体基板结构及其形成方法 [P]. 
黄文宏 .
中国专利 :CN113555338A ,2021-10-26
[5]
半导体基板结构及其形成方法 [P]. 
黄文宏 .
中国专利 :CN113555337A ,2021-10-26
[6]
半导体基板结构及其形成方法 [P]. 
黄文宏 .
中国专利 :CN113555337B ,2025-04-25
[7]
半导体基板结构及其形成方法 [P]. 
黄文宏 ;
石立节 .
中国专利 :CN113675177A ,2021-11-19
[8]
半导体基板、半导体装置、及半导体结构的形成方法 [P]. 
陈志谚 .
中国专利 :CN113838904A ,2021-12-24
[9]
半导体结构、半导体元件及其形成方法 [P]. 
林柏均 ;
朱金龙 .
中国专利 :CN108962855B ,2018-12-07
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
庄景诚 .
中国专利 :CN113471196A ,2021-10-01