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半导体基板结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202110587168.7
申请日：
2021-05-27
公开(公告)号：
CN113555337A
公开(公告)日：
2021-10-26
发明(设计)人：
黄文宏
申请人：
申请人地址：
中国台湾高雄市
IPC主分类号：
H01L23498
IPC分类号：
H01L23522
H01L2148
H01L21768
代理机构：
北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409
代理人：
章社杲;李伟
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2021-10-26 | 公开 | 公开 |
| 2021-11-12 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 23/498 申请日:20210527 |