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半导体结构及其形成方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202511318538.1
申请日：
2025-09-16
公开(公告)号：
CN121174529A
公开(公告)日：
2025-12-19
发明(设计)人：
李振彰
申请人：
南亚科技股份有限公司
申请人地址：
中国台湾新北市泰山区南林路98号
IPC主分类号：
H10D1/68
IPC分类号：
H10D84/00 H10D84/01
代理机构：
北京派特恩知识产权代理有限公司 11270
代理人：
康艳青;张铮铮
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-12-19 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
庄景诚 .
中国专利 :CN113471196A ,2021-10-01
[2]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
吴忠育 ;
曾自立 ;
林俐齐 .
中国专利 :CN114999997A ,2022-09-02
[3]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
庄景诚 .
中国专利 :CN113471196B ,2024-03-08
[4]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
蔡耀庭 ;
许博砚 .
中国专利 :CN119545799A ,2025-02-28
[5]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
黄竞加 ;
吕增富 .
中国专利 :CN112802842A ,2021-05-14
[6]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
黄圣富 ;
施信益 .
中国专利 :CN113889447B ,2025-11-07
[7]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
萧远洋 ;
陈殿豪 ;
陈燕铭 .
中国专利 :CN114883296A ,2022-08-09
[8]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
柯志欣 ;
李文钦 ;
葛崇祜 ;
陈宏玮 .
中国专利 :CN101038920A ,2007-09-19
[9]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
李浩南 ;
张永杰 ;
周永昌 ;
黄晓辉 ;
董琪琪 .
中国专利 :CN114899221A ,2022-08-12
[10]
半导体结构及其形成方法 [P]. 
巫凱雄 ;
鬼木悠丞 .
中国专利 :CN106169495B ,2016-11-30
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