研磨液、研磨液的制备方法和使用该研磨液的研磨方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN200910236733.4

申请日：

2009-11-05

公开(公告)号：

CN101979450A

公开(公告)日：

2011-02-23

发明(设计)人：

张贺娄艳芳胡伯清王锡铭彭同华陈小龙

申请人：

申请人地址：

100190 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室

IPC主分类号：

C09G102

IPC分类号：

B24B2900

代理机构：

代理人：

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

引用

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共 50 条

[1]

CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 [P].

佐藤英一 ;

太田宗宏 ;

茅根环司 ;

野部茂 ;

榎本和宏 ;

木村忠广 ;

深泽正人 ;

羽广昌信 ;

星阳介 .

中国专利 :CN103333662A ,2013-10-02

[2]

CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 [P].

佐藤英一 ;

太田宗宏 ;

茅根环司 ;

野部茂 ;

榎本和宏 ;

木村忠广 ;

深泽正人 ;

羽广昌信 ;

星阳介 .

中国专利 :CN103342986A ,2013-10-09

[3]

CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 [P].

佐藤英一 ;

太田宗宏 ;

茅根环司 ;

野部茂 ;

榎本和宏 ;

木村忠广 ;

深泽正人 ;

羽广昌信 ;

星阳介 .

中国专利 :CN102232242B ,2011-11-02

[4]

CMP用研磨液以及使用该研磨液的研磨方法 [P].

佐藤英一 ;

太田宗宏 ;

茅根环司 ;

野部茂 ;

榎本和宏 ;

木村忠广 ;

深泽正人 ;

羽广昌信 ;

星阳介 .

中国专利 :CN103333661A ,2013-10-02

[5]

研磨液、研磨液制备工艺及研磨液的使用添加方法 [P].

莫宗均 .

中国专利 :CN105385412A ,2016-03-09

[6]

半导体基板的研磨方法及研磨液 [P].

魏顺锋 .

中国专利 :CN108342184A ,2018-07-31

[7]

一种研磨助剂、制备方法、用途及研磨液和研磨方法 [P].

侯军 ;

李传强 .

中国专利 :CN113930165B ,2022-01-14

[8]

乳剂型研磨液的制备方法 [P].

赵剑波 .

中国专利 :CN108587477A ,2018-09-28

[9]

研磨液及化学机械研磨方法 [P].

李健 ;

刘俊良 .

中国专利 :CN101457136A ,2009-06-17

[10]

浆料、研磨液组、研磨液、基体的研磨方法以及基体 [P].

岩野友洋 .

中国专利 :CN105453235B ,2016-03-30

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法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-04-06	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101062496354 IPC(主分类):C09G 1/02 专利申请号:2009102367334 申请日:20091105
2013-10-23	授权	授权
2011-02-23	公开	公开
2020-01-21	专利申请权、专利权的转移	专利权的转移 IPC(主分类):H01L 21/461 登记生效日:20200103 变更事项:专利权人变更前权利人:北京天科合达半导体股份有限公司变更后权利人:北京天科合达半导体股份有限公司变更事项:地址变更前权利人:100190 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室变更后权利人:102600 北京市大兴区中关村科技园区大兴生物医药产业基地天荣大街9号2幢301室变更事项:共同专利权人变更前权利人:中国科学院物理研究所
2016-02-10	专利权人的姓名或者名称、地址的变更	专利权人的姓名或者名称、地址的变更号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101727820680 IPC(主分类):H01L 21/461 专利号:ZL2009102367334 变更事项:专利权人变更前:北京天科合达蓝光半导体有限公司变更后:北京天科合达半导体股份有限公司变更事项:地址变更前:100190 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室变更后:100190 北京市海淀区中关村东路66号1号楼2005室变更事项:专利权人变更前:中国科学院物理研究所变更后:中国科学院物理研究所