一种生长在Si衬底上的GaN薄膜及含该GaN薄膜的电器元件

被引：0

专利类型：

实用新型

申请号：

CN201220686103.4

申请日：

2012-12-11

公开(公告)号：

CN203179936U

公开(公告)日：

2013-09-04

发明(设计)人：

李国强

申请人：

申请人地址：

510000 广东省广州市广州高新技术产业开发区科学城南翔一路62号厂房

IPC主分类号：

H01L3302

IPC分类号：

H01L3332 H01L310352

代理机构：

广州市越秀区哲力专利商标事务所(普通合伙) 44288

代理人：

汤喜友

法律状态：

专利权的终止

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2022-12-27	专利权的终止	专利权有效期届满 IPC(主分类):H01L 33/02 申请日:20121211 授权公告日:20130904
2013-09-04	授权	授权

共 50 条

[1]

一种生长在Si衬底上的AlN薄膜及含该AlN薄膜的电器元件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203179935U ,2013-09-04

[2]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203910838U ,2014-10-29

[3]

一种生长在Si衬底上的GaN薄膜 [P].

高芳亮 .

中国专利 :CN212085035U ,2020-12-04

[4]

生长在玻璃衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

高芳亮 ;

张曙光 .

中国专利 :CN206422089U ,2017-08-18

[5]

GaN单晶薄膜及含该GaN单晶薄膜的电器元件 [P].

李国强 .

中国专利 :CN203118992U ,2013-08-07

[6]

生长在Zr衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

杨为家 ;

刘作莲 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204130576U ,2015-01-28

[7]

生长在W衬底上的GaN薄膜 [P].

李国强 ;

王文樑 ;

刘作莲 ;

杨为家 ;

林云昊 ;

周仕忠 ;

钱慧荣 .

中国专利 :CN204067411U ,2014-12-31

[8]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

请求不公布姓名 .

中国专利 :CN115148794B ,2025-09-05

[9]

生长在Si衬底上的GaN薄膜及其制备方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN115148794A ,2022-10-04

[10]

生长在Cu衬底的GaN薄膜 [P].

李国强 .

中国专利 :CN204204895U ,2015-03-11

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