一种MOSFET封装结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510137452.9

申请日：

2015-03-27

公开(公告)号：

CN104733413A

公开(公告)日：

2015-06-24

发明(设计)人：

张黎赖志明陈栋陈锦辉

申请人：

申请人地址：

214429 江苏省无锡市江阴市高新技术产业开发园区（澄江东路99号）

IPC主分类号：

H01L23485

IPC分类号：

H01L23488

代理机构：

南京经纬专利商标代理有限公司 32200

代理人：

彭英

法律状态：

发明专利申请公布后的视为撤回

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-02-06	发明专利申请公布后的视为撤回	发明专利申请公布后的视为撤回 IPC(主分类):H01L 23/485 申请公布日:20150624
2015-06-24	公开	公开
2015-07-22	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101617858513 IPC(主分类):H01L 23/485 专利申请号:2015101374529 申请日:20150327

共 50 条

[1]

一种模块化的MOSFET封装结构 [P].

张黎 ;

赖志明 ;

陈栋 ;

陈锦辉 .

中国专利 :CN204464263U ,2015-07-08

[2]

一种MOSFET的封装结构 [P].

吴志明 .

中国专利 :CN210429780U ,2020-04-28

[3]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构 [P].

张黎 .

中国专利 :CN218274584U ,2023-01-10

[4]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P].

张黎 .

中国专利 :CN114975130B ,2025-04-29

[5]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P].

张黎 .

中国专利 :CN114937606A ,2022-08-23

[6]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P].

张黎 .

中国专利 :CN114937606B ,2025-08-05

[7]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P].

张黎 .

中国专利 :CN114937605B ,2025-07-01

[8]

一种垂直型MOSFET芯片的封装结构的封装方法 [P].

张黎 .

中国专利 :CN114937605A ,2022-08-23

[9]

一种插件封装SiC MOSFET半桥结构及制备方法 [P].

刁绅 ;

陈宏 ;

刘洋 ;

皮彬彬 ;

郭亚楠 ;

叶士杰 .

中国专利 :CN118448401A ,2024-08-06

[10]

一种压接型分立式SiC MOSFET器件封装结构 [P].

李辉 ;

朱哲研 ;

姚然 ;

于仁泽 ;

赖伟 ;

王晓 ;

刘人宽 ;

余越 ;

周柏灵 ;

陈思宇 ;

段泽宇 ;

何蓓 .

中国专利 :CN115148692A ,2022-10-04

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