沟槽场效应晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201210230387.0

申请日：

2012-07-04

公开(公告)号：

CN102738008A

公开(公告)日：

2012-10-17

发明(设计)人：

吴亚贞

申请人：

申请人地址：

201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L2128

代理机构：

上海思微知识产权代理事务所(普通合伙) 31237

代理人：

郑玮

法律状态：

发明专利申请公布后的驳回

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-12-08	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回 IPC(主分类):H01L 21/336 申请公布日:20121017
2014-11-05	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101588041115 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102303870 申请日:20120704
2012-10-17	公开	公开
2014-05-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移号牌文件类型代码:1602 号牌文件序号:101701238647 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2012102303870 变更事项:申请人变更前权利人:上海宏力半导体制造有限公司变更后权利人:上海华虹宏力半导体制造有限公司变更事项:地址变更前权利人:201203 上海市浦东新区张江高科技园区郭守敬路818号变更后权利人:201203 上海市张江高科技园区祖冲之路1399号登记生效日:20140504

共 50 条

[1]

场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN111384160A ,2020-07-07

[2]

沟槽型场效应晶体管的制作方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN115662902A ,2023-01-31

[3]

场效应晶体管 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN209071275U ,2019-07-05

[4]

场效应晶体管的制作方法 [P].

金炎 .

中国专利 :CN106033727A ,2016-10-19

[5]

场效应晶体管的制作方法 [P].

王蛟 ;

黄枫 ;

赵龙杰 ;

林峰 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN106033726A ,2016-10-19

[6]

场效应晶体管及场效应晶体管的制造方法 [P].

穆吉塔巴·朱达基 .

中国专利 :CN1905210A ,2007-01-31

[7]

制备场效应晶体管横向沟道的方法及场效应晶体管 [P].

欧阳齐庆 ;

赵泽安 .

中国专利 :CN100397596C ,2005-02-02

[8]

场效应晶体管 [P].

G·恩德斯 ;

B·菲斯彻 ;

H·施内德 ;

P·沃伊特 .

中国专利 :CN100477260C ,2004-10-27

[9]

场效应晶体管 [P].

R·M·贝里格伦 ;

B·G·古斯塔夫松 ;

J·R·A·卡尔松 .

中国专利 :CN1210808C ,2001-05-02

[10]

场效应晶体管 [P].

小林正树 .

中国专利 :CN101371344B ,2009-02-18

← 1 2 3 4 5 →