场效应晶体管的制作方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201510104516.5

申请日：

2015-03-10

公开(公告)号：

CN106033727A

公开(公告)日：

2016-10-19

发明(设计)人：

金炎

申请人：

申请人地址：

214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

IPC主分类号：

H01L21336

IPC分类号：

H01L21266 H01L2128 H01L2978

代理机构：

广州华进联合专利商标代理有限公司 44224

代理人：

邓云鹏

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2016-10-19	公开	公开
2019-06-21	授权	授权
2016-11-16	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101687381937 IPC(主分类):H01L 21/336 专利申请号:2015101045165 申请日:20150310
2017-10-24	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 21/336 变更事项:申请人变更前:无锡华润上华半导体有限公司变更后:无锡华润上华科技有限公司变更事项:地址变更前:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号变更后:214028 江苏省无锡市国家高新技术产业开发区新洲路8号

共 50 条

[1]

场效应晶体管的制作方法 [P].

王蛟 ;

黄枫 ;

赵龙杰 ;

林峰 ;

韩广涛 ;

孙贵鹏 .

中国专利 :CN106033726A ,2016-10-19

[2]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 ;

赵圣哲 .

中国专利 :CN107104050A ,2017-08-29

[3]

场效应晶体管 [P].

蔡宗叡 .

中国专利 :CN209071275U ,2019-07-05

[4]

沟槽型场效应晶体管的制作方法 [P].

陈开宇 .

中国专利 :CN115662902A ,2023-01-31

[5]

场效应晶体管的制作方法 [P].

韩秋华 ;

张海洋 .

中国专利 :CN103187284B ,2013-07-03

[6]

场效应晶体管的制备方法和场效应晶体管 [P].

马万里 .

中国专利 :CN107104145A ,2017-08-29

[7]

一种垂直场效应晶体管的制作方法及垂直场效应晶体管 [P].

毛焜 .

中国专利 :CN118073201A ,2024-05-24

[8]

用于场效应晶体管的ESD防护结构以及场效应晶体管 [P].

李东镁 ;

张薇 ;

邢康伟 ;

刘刚 .

中国专利 :CN213184285U ,2021-05-11

[9]

沟槽场效应晶体管的制作方法 [P].

吴亚贞 .

中国专利 :CN102738008A ,2012-10-17

[10]

场效应晶体管的制作方法、场效应晶体管及栅极结构 [P].

张焕云 ;

吴健 .

中国专利 :CN111384160A ,2020-07-07

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