半导体集成电路装置及其制造方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201610103191.3

申请日：

2016-02-25

公开(公告)号：

CN105914208B

公开(公告)日：

2016-08-31

发明(设计)人：

原田博文上村启介长谷川尚加藤伸二郎吉野英生

申请人：

申请人地址：

日本千叶县

IPC主分类号：

H01L27092

IPC分类号：

H01L218238

代理机构：

中国专利代理(香港)有限公司 72001

代理人：

何欣亭;杜荔南

法律状态：

著录事项变更

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2018-04-20	著录事项变更	著录事项变更 IPC(主分类):H01L 27/092 变更事项:申请人变更前:精工半导体有限公司变更后:艾普凌科有限公司变更事项:地址变更前:日本千叶县变更后:日本千叶县
2017-10-10	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101751598650 IPC(主分类):H01L 27/092 专利申请号:2016101031913 申请日:20160225
2016-08-31	公开	公开
2020-09-01	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

松浦克好 ;

有吉润一 .

中国专利 :CN104779291A ,2015-07-15

[2]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

大川重明 ;

大古田敏幸 .

中国专利 :CN1199276C ,2002-08-21

[3]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

大川重明 ;

大古田敏幸 .

中国专利 :CN100431153C ,2002-07-31

[4]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

高田忠良 ;

北村修 ;

大川重明 ;

畑博嗣 ;

藤沼近雄 .

中国专利 :CN1187830C ,2002-03-27

[5]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

泽田茂树 ;

古田孝司 .

中国专利 :CN1085893C ,1996-12-04

[6]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

渡部浩三 ;

荻岛淳史 ;

茂庭昌弘 ;

桥本俊一 ;

儿岛雅之 ;

大汤静宪 ;

黑田谦一 ;

松田望 .

中国专利 :CN1255236A ,2000-05-31

[7]

半导体集成电路装置及其制造方法 [P].

山冈徹 ;

本田浩嗣 ;

樱井浩司 .

中国专利 :CN1176493A ,1998-03-18

[8]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

深水新吾 ;

锅岛有 ;

胜山隆 .

中国专利 :CN101174626A ,2008-05-07

[9]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

小松成亘 ;

长田健一 ;

山冈雅 ;

石桥孝一郎 .

中国专利 :CN101207120A ,2008-06-25

[10]

半导体集成电路及其制造方法 [P].

姉崎彻 .

中国专利 :CN1469478A ,2004-01-21

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