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半导体装置

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811022440.1
申请日：
2018-09-03
公开(公告)号：
CN109667694B
公开(公告)日：
2019-04-23
发明(设计)人：
阿部佑哉 小滨孝德
申请人：
申请人地址：
日本神奈川县川崎市
IPC主分类号：
F02P304
IPC分类号：
F02P300
代理机构：
北京铭硕知识产权代理有限公司 11286
代理人：
齐雪娇;金玉兰
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2020-08-14 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):F02P 3/04 申请日:20180903
2022-04-15 授权 授权
2019-04-23 公开 公开
共 50 条
[1]
半导体装置 [P]. 
中川翔 .
中国专利 :CN110165878A ,2019-08-23
[2]
半导体装置 [P]. 
中川翔 .
日本专利 :CN110165878B ,2024-12-13
[3]
半导体装置 [P]. 
坪内和也 ;
河野雅树 .
中国专利 :CN111869107A ,2020-10-30
[4]
半导体装置 [P]. 
新井健太郎 ;
石森敏文 ;
矢动丸裕 ;
高桥正好 .
中国专利 :CN115132707A ,2022-09-30
[5]
半导体装置 [P]. 
河面英夫 ;
王丸武志 ;
齐藤省二 .
中国专利 :CN105794094A ,2016-07-20
[6]
半导体装置 [P]. 
加藤良隆 ;
小宫健治 ;
进藤祐辅 ;
林庆德 ;
若林健一 .
中国专利 :CN109661763A ,2019-04-19
[7]
半导体装置 [P]. 
柿本规行 .
中国专利 :CN108475675A ,2018-08-31
[8]
半导体装置 [P]. 
清水直树 .
日本专利 :CN119276247A ,2025-01-07
[9]
半导体装置 [P]. 
川村幸雄 .
日本专利 :CN119315978A ,2025-01-14
[10]
半导体装置 [P]. 
上野诚 ;
西村一广 ;
山本刚司 .
中国专利 :CN111684677B ,2020-09-18
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